半导体器件栅极上形成金属硅化物的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510230753.6

申请日：

2015-05-07

公开(公告)号：

CN106206272B

公开(公告)日：

2016-12-07

发明(设计)人：

闻正锋马万里赵文魁

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

张洋;黄健

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-08	授权	授权
2017-01-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101695182857 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2015102307536 申请日:20150507
2016-12-07	公开	公开
2022-08-02	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/28 登记生效日:20220721 变更事项:专利权人变更前权利人:北大方正集团有限公司变更后权利人:深圳方正微电子有限公司变更事项:地址变更前权利人:100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层变更后权利人:518116 广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路5号方正微电子工业园变更事项:专利权人变更前权利人:深圳方正微电子有限公司

共 50 条

[1]

在多晶硅上形成金属硅化物的方法和半导体器件 [P].

闻正锋 ;

马万里 ;

赵文魁 ;

黄杰 .

中国专利 :CN104835728B ,2015-08-12

[2]

金属硅化物栅极的形成方法 [P].

国天增 ;

刘鹏 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN103177949B ,2013-06-26

[3]

采用金属硅化物的功率半导体器件结构及制备方法 [P].

徐承福 ;

朱阳军 ;

卢烁今 ;

吴凯 ;

陈宏 .

中国专利 :CN102903743A ,2013-01-30

[4]

金属硅化物形成方法及半导体器件的制造方法 [P].

片桐孝浩 ;

十河康则 .

中国专利 :CN100470728C ,2007-08-15

[5]

用于CMOS器件的自形成金属硅化物栅极 [P].

骆志炯 ;

方隼飞 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN100505187C ,2007-11-28

[6]

制备有金属硅化物膜的半导体器件的方法 [P].

田桑哲也 .

中国专利 :CN1108630C ,1998-12-23

[7]

用于制备金属硅化物的方法、半导体器件及其制备方法 [P].

方延 ;

张新 ;

郭廷晃 .

中国专利 :CN121218668A ,2025-12-26

[8]

金属硅化物层形成方法、半导体器件及芯片 [P].

邵瑾 ;

吴波 ;

刘芳 ;

王江红 ;

陶然 ;

吴永玉 ;

邓永峰 ;

郁文 ;

米朝勇 .

中国专利 :CN119812096A ,2025-04-11

[9]

具有金属硅化物的半导体结构及形成金属硅化物的方法 [P].

李秋德 .

中国专利 :CN101562151A ,2009-10-21

[10]

自对准金属硅化物的形成方法和半导体器件 [P].

禹国宾 .

中国专利 :CN103915326B ,2014-07-09

← 1 2 3 4 5 →