一种发光二极管芯片及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810254579.2

申请日：

2018-03-26

公开(公告)号：

CN108550663B

公开(公告)日：

2018-09-18

发明(设计)人：

魏晓骏王群郭炳磊董彬忠李鹏王江波

申请人：

申请人地址：

322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3306 H01L3360

代理机构：

北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138

代理人：

徐立

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-11-12	授权	授权
2018-09-18	公开	公开
2018-10-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20180326

共 50 条

[1]

一种发光二极管芯片及其制作方法 [P].

兰叶 ;

顾小云 ;

黄龙杰 ;

王江波 .

中国专利 :CN108091737B ,2018-05-29

[2]

一种发光二极管芯片及其制作方法 [P].

兰叶 ;

顾小云 ;

汪洋 ;

王江波 .

中国专利 :CN107994105B ,2018-05-04

[3]

发光二极管芯片及其制作方法 [P].

黄庆 ;

张美 ;

杭伟 ;

王洪占 .

中国专利 :CN117810326A ,2024-04-02

[4]

发光二极管芯片、发光二极管及其制作方法 [P].

尹灵峰 ;

吴志浩 ;

高艳龙 ;

魏柏林 ;

王江波 .

中国专利 :CN110165025A ,2019-08-23

[5]

发光二极管芯片的制作方法及发光二极管芯片 [P].

兰叶 ;

顾小云 .

中国专利 :CN110246934A ,2019-09-17

[6]

发光二极管芯片 [P].

汪延明 ;

姚禹 ;

许亚兵 ;

牛凤娟 ;

侯召男 .

中国专利 :CN202423369U ,2012-09-05

[7]

发光二极管芯片及其制作方法 [P].

王东山 ;

王思博 ;

廖汉忠 .

中国专利 :CN113964247B ,2024-01-30

[8]

发光二极管芯片及其制作方法 [P].

兰叶 ;

吴志浩 ;

李鹏 .

中国专利 :CN112289903B ,2021-01-29

[9]

发光二极管芯片及其制作方法 [P].

兰叶 ;

吴志浩 ;

李鹏 .

中国专利 :CN112216782A ,2021-01-12

[10]

发光二极管芯片及其制作方法 [P].

黄彪彪 ;

肖和平 ;

汪洋 .

中国专利 :CN117374184A ,2024-01-09

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