一种抗单粒子瞬态的高电平复位电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011575853.X

申请日：

2020-12-24

公开(公告)号：

CN112636744A

公开(公告)日：

2021-04-09

发明(设计)人：

吴振宇刘必慰梁斌郭阳胡春媚池雅庆陈建军黄鹏程宋睿强袁珩洲

申请人：

申请人地址：

410073 湖南省长沙市开福区砚瓦池正街47号

IPC主分类号：

H03K190185

IPC分类号：

代理机构：

湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008

代理人：

胡君

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H03K 19/0185 申请日:20201224
2021-04-09	公开	公开

共 50 条

[1]

一种用于高电平复位电路的抗单粒子瞬态缓冲器 [P].

吴振宇 ;

刘必慰 ;

梁斌 ;

郭阳 ;

胡春媚 ;

池雅庆 ;

陈建军 ;

黄鹏程 ;

宋睿强 ;

袁珩洲 .

中国专利 :CN112671392A ,2021-04-16

[2]

一种抗单粒子瞬态的低电平复位电路 [P].

吴振宇 ;

刘必慰 ;

梁斌 ;

郭阳 ;

胡春媚 ;

池雅庆 ;

陈建军 ;

黄鹏程 ;

宋睿强 ;

袁珩洲 .

中国专利 :CN112543019A ,2021-03-23

[3]

一种用于低电平复位电路的抗单粒子瞬态缓冲器 [P].

吴振宇 ;

刘必慰 ;

梁斌 ;

郭阳 ;

胡春媚 ;

池雅庆 ;

陈建军 ;

黄鹏程 ;

宋睿强 ;

袁珩洲 .

中国专利 :CN112769429A ,2021-05-07

[4]

一种抗单粒子瞬态电路 [P].

王亮 ;

岳素格 ;

赵元富 .

中国专利 :CN102082568A ,2011-06-01

[5]

抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路 [P].

宿晓慧 ;

毕津顺 ;

罗家俊 ;

韩郑生 ;

郝乐 .

中国专利 :CN103546146A ,2014-01-29

[6]

一种能应对电源电压塌陷的高电平复位电路 [P].

廖晓东 ;

高杰星 ;

陈顺凡 .

中国专利 :CN203775172U ,2014-08-13

[7]

抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路 [P].

宿晓慧 ;

毕津顺 ;

罗家俊 ;

韩郑生 ;

郝乐 .

中国专利 :CN103475355A ,2013-12-25

[8]

抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路 [P].

宿晓慧 ;

毕津顺 ;

罗家俊 ;

韩郑生 ;

郝乐 .

中国专利 :CN103546145B ,2014-01-29

[9]

抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路 [P].

宿晓慧 ;

毕津顺 ;

罗家俊 ;

韩郑生 ;

郝乐 .

中国专利 :CN103475359B ,2013-12-25

[10]

一种抗高频干扰的电源电压塌陷快速响应高电平复位电路 [P].

王建华 ;

张炜隽 ;

郑幸源 ;

廖晓东 .

中国专利 :CN205485899U ,2016-08-17

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