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一种用于锗晶片的抛光液及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN200610087601.6
申请日：
2006-06-02
公开(公告)号：
CN101081965A
公开(公告)日：
2007-12-05
发明(设计)人：
仲跻和
申请人：
申请人地址：
300385天津市天津开发区微电子工业区中晓园2－B号
IPC主分类号：
C09G102
IPC分类号：
C09G114
代理机构：
国嘉律师事务所
代理人：
高美岭
法律状态：
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2010-02-03 发明专利申请公布后的视为撤回 发明专利申请公布后的视为撤回
2007-12-05 公开 公开
共 50 条
[1]
一种用于砷化镓晶片的抛光液及其制备方法 [P]. 
仲跻和 .
中国专利 :CN101081966A ,2007-12-05
[2]
一种金属抛光液及其制备方法 [P]. 
仲跻和 ;
李家荣 ;
周云昌 ;
班冬青 .
中国专利 :CN101092540A ,2007-12-26
[3]
一种用于玻璃材料的抛光液及其制备方法 [P]. 
仲跻和 ;
刘玉岭 .
中国专利 :CN101096571A ,2008-01-02
[4]
一种用于硬盘基片的抛光液及其制备方法 [P]. 
仲跻和 ;
李家荣 ;
周云昌 ;
高如山 .
中国专利 :CN101096575A ,2008-01-02
[5]
一种晶片抛光用抛光液及其制备方法 [P]. 
李加海 ;
梁则兵 .
中国专利 :CN115386297A ,2022-11-25
[6]
一种晶片抛光用抛光液及其制备方法 [P]. 
李加海 ;
梁则兵 .
中国专利 :CN115386297B ,2024-04-26
[7]
一种钨抛光液及其制备方法 [P]. 
仲跻和 ;
刘玉岭 .
中国专利 :CN101096572A ,2008-01-02
[8]
一种锗抛光液 [P]. 
高如山 .
中国专利 :CN104178034A ,2014-12-03
[9]
一种CMP抛光液及其在GaAs晶片抛光中的应用 [P]. 
王乐军 ;
宋士佳 ;
李琳琳 ;
刘桂勇 ;
姜宏 ;
彭东阳 .
中国专利 :CN108034360A ,2018-05-15
[10]
氧化镓晶片抗解理抛光液及其制备方法 [P]. 
周海 ;
徐晓明 ;
龚凯 .
中国专利 :CN105153943B ,2015-12-16
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