一类基于1,8‑萘酰亚胺的高迁移率半导体聚合物及合成方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201710644393.3
申请日
2017-08-01
公开(公告)号
CN107501527A
公开(公告)日
2017-12-22
发明(设计)人
袁忠义 朱国民 廉小翠 胡昱 张有地 陈义旺
申请人
申请人地址
330031 江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号
IPC主分类号
C08G6112
IPC分类号
代理机构
南昌新天下专利商标代理有限公司 36115
代理人
施秀瑾
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一类全氟烷基修饰的苝酰亚胺共轭聚合物及其合成方法 [P]. 
袁忠义 ;
蔡春生 ;
张有地 ;
黄清方 ;
胡昱 ;
陈义旺 .
中国专利 :CN107474226A ,2017-12-15
[2]
一类具有红色荧光的1,8‑萘酰亚胺化合物及其合成方法 [P]. 
孙国超 ;
金正能 ;
吴家守 ;
王传峰 ;
蒋华江 .
中国专利 :CN107652280A ,2018-02-02
[3]
一类高迁移率近紫外p型共轭聚合物及其制备方法与光电应用 [P]. 
段春晖 ;
谢东生 ;
曹镛 .
中国专利 :CN120988253A ,2025-11-21
[4]
含多巴胺衍生侧链的萘酰亚胺聚合物半导体及其制备方法 [P]. 
邓平 ;
朱笔李 ;
肖余发 ;
李俊 .
中国专利 :CN113896865A ,2022-01-07
[5]
一类基于1,8‑萘酰亚胺为骨架的磺酰胺化合物、制备方法及其应用 [P]. 
尹军 ;
曹梅姣 ;
徐志强 ;
盛晓乐 ;
刘盛华 .
中国专利 :CN105001161B ,2015-10-28
[6]
一类萘酰亚胺光引发剂、其合成方法及应用 [P]. 
任晓桢 ;
吴小强 .
中国专利 :CN114409830A ,2022-04-29
[7]
基于萘酰亚胺-硒吩的有机n型半导体聚合物材料及其制备方法与应用 [P]. 
闫伟博 ;
王子龙 ;
辛颢 ;
郭世赣 .
中国专利 :CN108864415B ,2018-11-23
[8]
一类基于三萘嵌二苯二酰亚胺结构的小分子化合物、聚合物、制备方法及应用 [P]. 
费竹平 ;
张胜男 ;
尹宇新 .
中国专利 :CN118359635A ,2024-07-19
[9]
基于二并吡咯酮与萘酰亚胺单元构建的聚合物半导体材料及其制备方法与应用 [P]. 
于贵 ;
朱敏亮 ;
毛祖攀 ;
张卫锋 ;
黄剑耀 ;
王丽萍 ;
罗浩 .
中国专利 :CN105237746A ,2016-01-13
[10]
具有高迁移率和高能带隙材料的半导体结构及方法 [P]. 
吴政宪 ;
柯志欣 ;
万幸仁 .
中国专利 :CN103311296B ,2013-09-18