二次电子特性参数的测量装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201520504454.2

申请日：

2015-07-13

公开(公告)号：

CN204807482U

公开(公告)日：

2015-11-25

发明(设计)人：

王鹏程刘瑜冬

申请人：

申请人地址：

100049 北京市石景山区玉泉路19号(乙)院

IPC主分类号：

G01N23225

IPC分类号：

代理机构：

深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281

代理人：

郭燕;彭家恩

法律状态：

避免重复授权放弃专利权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-11-21	避免重复授权放弃专利权	避免重复授予专利权 IPC(主分类):G01N 23/225 申请日:20150713 授权公告日:20151125 放弃生效日:20171121
2015-11-25	授权	授权

共 50 条

[1]

二次电子特性参数的测量装置和方法 [P].

王鹏程 ;

刘瑜冬 .

中国专利 :CN105092626B ,2015-11-25

[2]

高、低温环境中材料二次电子特性参数的测量装置 [P].

王鹏程 ;

刘瑜冬 ;

刘盛画 ;

孙晓阳 .

中国专利 :CN208999328U ,2019-06-18

[3]

高、低温环境中材料二次电子特性参数的测量装置和方法 [P].

王鹏程 ;

刘瑜冬 ;

刘盛画 ;

孙晓阳 .

中国专利 :CN109142409A ,2019-01-04

[4]

一种二次电子特性参数检测装置 [P].

林燊劼 .

中国专利 :CN205879833U ,2017-01-11

[5]

二次电子发射系数测量装置 [P].

张科 ;

姜开利 ;

范守善 .

中国专利 :CN113495082A ,2021-10-12

[6]

一种二次电子测量装置 [P].

李金海 .

中国专利 :CN106770411A ,2017-05-31

[7]

二次电子探头及二次电子探测器 [P].

张科 ;

陈果 ;

柳鹏 ;

姜开利 ;

范守善 .

中国专利 :CN114646689B ,2025-07-22

[8]

二次电子探头及二次电子探测器 [P].

张科 ;

陈果 ;

柳鹏 ;

姜开利 ;

范守善 .

中国专利 :CN114646689A ,2022-06-21

[9]

一种测量材料二次电子发射系数的装置及方法 [P].

李晓峰 ;

常乐 ;

曾进能 ;

李廷涛 ;

周善堃 .

中国专利 :CN110220929B ,2019-09-10

[10]

二次电子发射角分布的测试系统 [P].

陈益峰 ;

李存惠 ;

李得天 ;

秦晓刚 ;

杨生胜 ;

史亮 ;

王俊 ;

柳青 ;

汤道坦 .

中国专利 :CN102967615B ,2013-03-13

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