多层电容器及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810137727.9

申请日：

2008-07-18

公开(公告)号：

CN101359663B

公开(公告)日：

2009-02-04

发明(设计)人：

阿尼尔·K·钦瑟金迪埃里克·汤普森

申请人：

申请人地址：

美国纽约阿芒克

IPC主分类号：

H01L2702

IPC分类号：

H01L2102

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

张波

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-02-04	公开	公开
2009-04-01	实质审查的生效	实质审查的生效
2017-12-29	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/02 登记生效日:20171208 变更事项:专利权人变更前权利人:格芯美国第二有限责任公司变更后权利人:格芯公司变更事项:地址变更前权利人:美国纽约变更后权利人:开曼群岛大开曼岛
2019-07-05	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/02 申请日:20080718 授权公告日:20101201 终止日期:20180718
2010-12-01	授权	授权
2017-12-29	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/02 登记生效日:20171208 变更事项:专利权人变更前权利人:国际商业机器公司变更后权利人:格芯美国第二有限责任公司变更事项:地址变更前权利人:美国纽约阿芒克变更后权利人:美国纽约

共 50 条

[1]

多层电容器及其制造方法 [P].

徐健明 ;

李明林 ;

赖信助 .

中国专利 :CN101930846B ,2010-12-29

[2]

多层陶瓷电容器及其制造方法 [P].

中野幸惠 ;

宫内真理 ;

佐藤阳 .

中国专利 :CN100545969C ,2005-07-13

[3]

多层电容器及其制造方法 [P].

金荣俊 ;

金甘雨 ;

金宰源 ;

朱镇卿 .

中国专利 :CN111463012A ,2020-07-28

[4]

多层电容器及其制造方法 [P].

李明佑 ;

郑海率 ;

郑元植 ;

崔圣秀 ;

李倇羽 ;

柳建桓 .

韩国专利 :CN118609997A ,2024-09-06

[5]

多层电容器及其制造方法 [P].

朴世训 ;

安永圭 ;

赵成珉 ;

朴泰俊 ;

金汇大 .

韩国专利 :CN118645363A ,2024-09-13

[6]

多层电容器及其制造方法 [P].

康崙盛 ;

赵珉贞 ;

金仑熙 .

中国专利 :CN114446657A ,2022-05-06

[7]

多层电容器及其制造方法 [P].

李载锡 ;

朴善浩 ;

金度沇 ;

姜晟馨 .

韩国专利 :CN118486548A ,2024-08-13

[8]

多层电容器及其制造方法 [P].

李明佑 ;

郑海率 ;

金珍成 ;

金甫映 ;

金晓珍 .

韩国专利 :CN118610000A ,2024-09-06

[9]

多层电容器及其制造方法 [P].

尹基明 ;

赵俊烨 ;

辛娥煐 ;

崔明和 ;

梁岘銂 .

韩国专利 :CN118486546A ,2024-08-13

[10]

多层电容器及其制造方法 [P].

孙受焕 ;

安永圭 .

韩国专利 :CN118486547A ,2024-08-13

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