硼化物增强型碳化硅陶瓷及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910097918.1

申请日：

2009-04-23

公开(公告)号：

CN101525240B

公开(公告)日：

2009-09-09

发明(设计)人：

郭兴忠杨辉张玲洁傅晓健

申请人：

申请人地址：

310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号

IPC主分类号：

C04B35622

IPC分类号：

C04B35565

代理机构：

杭州中成专利事务所有限公司 33212

代理人：

金祺

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-09-09	公开	公开
2020-04-14	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C04B 35/622 申请日:20090423 授权公告日:20120606 终止日期:20190423
2012-06-06	授权	授权
2009-11-04	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

碳化硅短纤维增韧强化碳化硅陶瓷及其制备方法 [P].

杨辉 ;

郭兴忠 ;

张玲洁 ;

高黎华 ;

傅培鑫 .

中国专利 :CN101555144B ,2009-10-14

[2]

纳米复合碳化硅陶瓷及其制备方法 [P].

郭兴忠 ;

杨辉 ;

李海淼 ;

傅培鑫 ;

高黎华 .

中国专利 :CN101100384A ,2008-01-09

[3]

二元纳米协同强化增韧碳化硅陶瓷及其制备方法 [P].

郭兴忠 ;

杨辉 ;

张玲洁 ;

傅晓健 .

中国专利 :CN101560105A ,2009-10-21

[4]

含碳的碳化硅密封环及其制备方法 [P].

郑志荣 ;

杨辉 ;

郭兴忠 ;

李志强 ;

辛玲 ;

傅培鑫 .

中国专利 :CN101551012A ,2009-10-07

[5]

一种氮化铝增强碳化硅陶瓷及其制备方法 [P].

郭兴忠 ;

杨辉 ;

高黎华 ;

傅培鑫 ;

马奇 ;

李海淼 .

中国专利 :CN100445235C ,2007-07-18

[6]

二维过渡金属碳化物增强碳化硅陶瓷及其制备方法 [P].

郭兴忠 ;

周惟良 ;

邹畅 ;

李志强 ;

郑浦 ;

杨辉 .

中国专利 :CN115340384A ,2022-11-15

[7]

碳化硅组合物、碳化硅陶瓷及其制备方法 [P].

贺鹏博 ;

李亚林 .

中国专利 :CN119874396A ,2025-04-25

[8]

碳化硅复相陶瓷的制备方法 [P].

郭兴忠 ;

杨辉 ;

傅培鑫 ;

高黎华 ;

马奇 ;

李海淼 .

中国专利 :CN100465132C ,2007-09-19

[9]

多孔碳化硅陶瓷及其制备方法 [P].

李秋惠 .

中国专利 :CN111635246A ,2020-09-08

[10]

一种碳化硅增强氮化铝陶瓷及其制备方法 [P].

查萍华 .

中国专利 :CN109320254A ,2019-02-12

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