鳍式场效应管、CMOS鳍式场效应管的形成方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201110298299.X
申请日
2011-09-27
公开(公告)号
CN103021827A
公开(公告)日
2013-04-03
发明(设计)人
三重野文健
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
H01L2128
IPC分类号
H01L21336 H01L218238
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
骆苏华
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
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鳍式场效应管的形成方法 [P]. 
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鳍式场效应管的形成方法 [P]. 
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