D-A型聚合物半导体材料及其制备方法与应用

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201310361824.7
申请日
2013-08-19
公开(公告)号
CN103450462B
公开(公告)日
2013-12-18
发明(设计)人
孟鸿 张小涛 苑晓 闫丽佳
申请人
申请人地址
210000 江苏省南京市秦淮区双龙街2号
IPC主分类号
C08G6112
IPC分类号
H01L5100
代理机构
北京纪凯知识产权代理有限公司 11245
代理人
关畅;王春霞
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种D-A型聚合物半导体材料及其制备方法与应用 [P]. 
孟鸿 ;
张小涛 ;
苑晓 ;
闫丽佳 .
中国专利 :CN103483558A ,2014-01-01
[2]
一种网状低能级p型聚合物半导体材料及其制备方法与应用 [P]. 
孟鸿 ;
张小涛 ;
苑晓 .
中国专利 :CN103289062A ,2013-09-11
[3]
一种P型聚合物半导体材料及其制备方法和应用 [P]. 
郭旭岗 ;
虞坚炜 ;
杨杰 ;
周鑫 .
中国专利 :CN109651599A ,2019-04-19
[4]
含亚烷基芴与蒽的聚合物半导体材料及其制备方法和应用 [P]. 
周明杰 ;
管榕 ;
黄佳乐 ;
黎乃元 ;
李满园 .
中国专利 :CN103665328A ,2014-03-26
[5]
打断共轭型聚合物半导体材料及其制备方法和应用 [P]. 
解令海 ;
黄维 ;
刘正东 ;
胡辉 ;
包岩 ;
仪明东 .
中国专利 :CN105622901A ,2016-06-01
[6]
有机聚合物半导体材料及其制备方法和应用 [P]. 
许华平 ;
戴以恒 ;
马蒂亚斯·卢卡斯·丹尼尔斯 ;
张之恒 .
中国专利 :CN115304773A ,2022-11-08
[7]
一种本征低熔点聚合物半导体材料及其制备方法和应用 [P]. 
赵岩 ;
张瑜 ;
王芝慧 ;
陆雪峰 ;
常东东 ;
刘云圻 .
中国专利 :CN119859250B ,2025-11-25
[8]
一种光刻稳定的聚合物半导体材料及制备方法和应用 [P]. 
赵岩 ;
左晓婵 ;
莫晓亮 .
中国专利 :CN120699237A ,2025-09-26
[9]
一种本征低熔点聚合物半导体材料及其制备方法和应用 [P]. 
赵岩 ;
张瑜 ;
王芝慧 ;
陆雪峰 ;
常东东 ;
刘云圻 .
中国专利 :CN119859250A ,2025-04-22
[10]
共轭打断超支化聚合物半导体光电材料及其制备和应用方法 [P]. 
黄维 ;
解令海 ;
刘正东 ;
常永正 ;
欧昌金 ;
殷成蓉 ;
仪明东 ;
钱妍 ;
石乃恩 ;
张广维 .
中国专利 :CN102295758A ,2011-12-28