一种硫化锡-硫化镍异质纳米片阵列结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911105781.X

申请日：

2019-11-13

公开(公告)号：

CN110745861A

公开(公告)日：

2020-02-04

发明(设计)人：

符秀丽官顺东彭志坚

申请人：

申请人地址：

100876 北京市海淀区西土城路10号

IPC主分类号：

C01G1900

IPC分类号：

C01G5311 H01M436 H01M458 H01M10054 B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

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法律状态：

公开

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-02-04	公开	公开

共 50 条

[1]

一种二硫化锡-硫化镍核壳异质多孔纳米墙阵列结构及其制备方法 [P].

符秀丽 ;

官顺东 ;

彭志坚 .

中国专利 :CN110797209A ,2020-02-14

[2]

一种碳布负载的硫化镍-硫化钼异质纳米片阵列结构及其制备方法 [P].

符秀丽 ;

官顺东 ;

彭志坚 .

中国专利 :CN109235024A ,2019-01-18

[3]

一种硫化镍‑硫化镉纳米线异质结构及其制备方法 [P].

符秀丽 ;

官顺东 ;

张宇 ;

彭志坚 .

中国专利 :CN107349938A ,2017-11-17

[4]

制备硫化亚锡纳米片阵列薄膜的方法 [P].

毕恩兵 ;

陈汉 ;

韩礼元 .

中国专利 :CN103819098A ,2014-05-28

[5]

一种硫化镍纳米片阵列的制备方法 [P].

郝秋艳 ;

李士云 ;

刘辉 ;

任刚 ;

贾冬波 .

中国专利 :CN108940318A ,2018-12-07

[6]

一种纳米花状硫化镉@硫化镍薄膜异质结构及其制备方法 [P].

彭志坚 ;

张宇 ;

官顺东 ;

符秀丽 .

中国专利 :CN107597147B ,2018-01-19

[7]

一种二硫化锡-C3N4纳米片阵列光阳极及其制备方法 [P].

吕慧丹 ;

王子良 ;

刘勇平 ;

庄杨 ;

陈丹杨 .

中国专利 :CN113024128A ,2021-06-25

[8]

基于碳布负载的硫化镍-硫化钼异质纳米片阵列结构的柔性超级电容器及其制备方法 [P].

符秀丽 ;

官顺东 ;

彭志坚 .

中国专利 :CN109065368B ,2018-12-21

[9]

一种二硫化锡/垂直石墨烯纳米片阵列电极的制备方法 [P].

陈明华 ;

张家伟 ;

陈庆国 .

中国专利 :CN109286011B ,2019-01-29

[10]

一种固相制备硫化锡-硫化镉异质结纳米薄片的方法 [P].

陈凤娟 ;

金学坤 ;

贾殿赠 ;

刘艳芬 .

中国专利 :CN110127750A ,2019-08-16

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