磁电阻传感器芯片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011205282.0

申请日：

2020-11-02

公开(公告)号：

CN112363097A

公开(公告)日：

2021-02-12

发明(设计)人：

刘明关蒙萌胡忠强朱红艳朱家训

申请人：

申请人地址：

519000 广东省珠海市高新区唐家湾镇科技七路1号4栋5-B单元

IPC主分类号：

G01R3309

IPC分类号：

G01R3300

代理机构：

广东朗乾律师事务所 44291

代理人：

杨焕军

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 33/09 申请日:20201102
2021-09-21	授权	授权
2021-02-12	公开	公开

共 50 条

[1]

一种磁电阻传感器芯片 [P].

刘明 ;

关蒙萌 ;

胡忠强 ;

朱红艳 ;

朱家训 .

中国专利 :CN113702880B ,2021-11-26

[2]

磁电阻角度传感器 [P].

李大来 ;

王鑫 .

中国专利 :CN115479537A ,2022-12-16

[3]

磁电阻角度传感器 [P].

李大来 ;

王鑫 .

中国专利 :CN218443722U ,2023-02-03

[4]

巨磁电阻传感器 [P].

王林忠 ;

杜军 ;

曾荣伟 ;

肖又专 ;

库万军 .

中国专利 :CN2466665Y ,2001-12-19

[5]

磁电阻传感器和集成传感器 [P].

D·帕希 ;

M·马彻西 ;

M·莫里利 .

中国专利 :CN205539418U ,2016-08-31

[6]

推挽桥式磁电阻传感器 [P].

詹姆斯·G·迪克 ;

金英西 ;

沈卫锋 ;

王建国 ;

薛松生 ;

雷啸锋 ;

张小军 ;

李东风 .

中国专利 :CN102298125B ,2011-12-28

[7]

推挽桥式磁电阻传感器 [P].

詹姆斯·G·迪克 ;

金英西 ;

沈卫锋 ;

王建国 ;

薛松生 ;

雷啸锋 ;

张小军 ;

李东风 .

中国专利 :CN202230192U ,2012-05-23

[8]

磁电阻传感器 [P].

李大来 ;

王鑫 .

中国专利 :CN115436849A ,2022-12-06

[9]

磁电阻传感器 [P].

李大来 ;

王鑫 .

中国专利 :CN218445934U ,2023-02-03

[10]

垂直型磁电阻传感器 [P].

何世坤 ;

陈伟斌 ;

陈明博 .

中国专利 :CN119730699A ,2025-03-28

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