半导体器件及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200410008925.7
申请日
2004-03-15
公开(公告)号
CN1531076A
公开(公告)日
2004-09-22
发明(设计)人
本间壮一
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L2348
IPC分类号
H01L2312 H01L2328 H01L2128 H01L2160 H01L2150
代理机构
北京市中咨律师事务所
代理人
段承恩;陈海红
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
福井胜一 ;
森本升 ;
西冈康隆 ;
泉谷淳子 ;
石井敦司 .
中国专利 :CN101661900A ,2010-03-03
[2]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
秋山雪治 ;
下石智明 ;
大西健博 ;
嶋田法翁 ;
江口州志 ;
西村朝雄 ;
安生一郎 ;
坪崎邦宏 ;
宫崎忠一 ;
小山宏 .
中国专利 :CN1208252A ,1999-02-17
[3]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
松本雅弘 ;
藤泽雅彦 ;
大崎明彦 ;
石井敦司 .
中国专利 :CN102379036A ,2012-03-14
[4]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
大竹浩人 ;
多田宗弘 ;
原田惠充 ;
肱冈健一郎 ;
剂藤忍 ;
林喜宏 .
中国专利 :CN1650417A ,2005-08-03
[5]
半导体器件制造方法 [P]. 
中田义弘 ;
尾崎史朗 ;
矢野映 .
中国专利 :CN1787186A ,2006-06-14
[6]
半导体器件制造方法 [P]. 
中田义弘 ;
尾崎史朗 ;
矢野映 .
中国专利 :CN100477106C ,2006-06-14
[7]
半导体元件及其制造方法,半导体器件及其制造方法 [P]. 
东和司 ;
塚原法人 ;
米泽隆弘 ;
八木能彦 ;
北山喜文 ;
大谷博之 .
中国专利 :CN1549305A ,2004-11-24
[8]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
秋叶俊彦 ;
木村稔 ;
小田切政雄 .
中国专利 :CN101789392B ,2010-07-28
[9]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
铃木贵志 ;
小泽清 .
中国专利 :CN101238570A ,2008-08-06
[10]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
黑泽哲也 ;
井守义久 .
中国专利 :CN1551292A ,2004-12-01