一种大尺寸直拉硅单晶生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610841931.3

申请日：

2016-09-22

公开(公告)号：

CN106319621A

公开(公告)日：

2017-01-11

发明(设计)人：

王文庆

申请人：

申请人地址：

523000 广东省东莞市松山湖高新技术产业工发区生产力大厦406

IPC主分类号：

C30B1520

IPC分类号：

C30B1514 C30B2906

代理机构：

北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246

代理人：

连平

法律状态：

发明专利申请公布后的撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-15	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):C30B 15/20 申请公布日:20170111
2017-02-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101702034919 IPC(主分类):C30B 15/20 专利申请号:2016108419313 申请日:20160922
2017-01-11	公开	公开

共 50 条

[1]

一种直拉硅单晶生长的热场 [P].

张志强 ;

黄振飞 ;

黄强 .

中国专利 :CN201626998U ,2010-11-10

[2]

一种大尺寸硅单晶生长坩埚 [P].

陈志谋 .

中国专利 :CN220489700U ,2024-02-13

[3]

直拉硅单晶生长的重掺杂方法 [P].

沈益军 ;

马向阳 ;

田达晰 ;

李立本 ;

阙端麟 .

中国专利 :CN1109778C ,2002-02-27

[4]

一种直拉硅单晶生长的热场结构 [P].

李振国 ;

李定武 .

中国专利 :CN201162060Y ,2008-12-10

[5]

直拉硅单晶生长加热器参数优化方法 [P].

张晶 ;

刘丁 ;

蒙茜 .

中国专利 :CN117702251A ,2024-03-15

[6]

一种硅单晶的生长方法 [P].

高欣 ;

周磊峰 ;

张新峰 .

中国专利 :CN118497882A ,2024-08-16

[7]

直拉硅单晶直径自动补偿方法 [P].

刘彬国 ;

张呈沛 ;

何京辉 .

中国专利 :CN101724891B ,2010-06-09

[8]

一种提高直拉硅单晶生产效率的方法 [P].

李建军 ;

周建华 .

中国专利 :CN102220634B ,2011-10-19

[9]

直拉硅单晶的收尾方法及直拉硅单晶的制备方法 [P].

王思锋 ;

潘永娥 ;

潘得俊 .

中国专利 :CN106676621B ,2017-05-17

[10]

用于直拉硅单晶生长的双层坩埚 [P].

曾泽斌 .

中国专利 :CN102409396A ,2012-04-11

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