晶片抛光装置和抛光方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN98111675.2

申请日：

1998-12-04

公开(公告)号：

CN1082866C

公开(公告)日：

1999-09-15

发明(设计)人：

三桥秀男大井聪山森笃稻叶精一

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

B24B2902

IPC分类号：

H01L21463

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

叶恺东;王岳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1999-09-15	公开	公开
1999-08-18	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2003-05-21	专利申请权、专利权的转移专利权的转移	专利申请权、专利权的转移专利权的转移变更事项:专利权人变更前权利人:日本电气株式会社变更后权利人:恩益禧电子股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本神奈川县川崎市登记生效日:20030404
2002-04-17	授权	授权
2006-02-01	专利权的终止未缴年费专利权终止	专利权的终止未缴年费专利权终止

共 50 条

[1]

晶片抛光装置及晶片抛光方法 [P].

吴伟立 ;

张志暐 ;

梁修启 ;

余文怀 ;

徐文庆 .

中国专利 :CN115707558B ,2025-09-26

[2]

半导体晶片抛光装置和抛光方法 [P].

P·D·阿尔布雷克特 ;

Z·郭强 .

中国专利 :CN102046331A ,2011-05-04

[3]

一种晶片边缘抛光装置和抛光方法 [P].

朱亮 ;

沈文杰 ;

谢龙辉 ;

谢永旭 ;

陈明 ;

倪少博 ;

张帅 ;

曹建伟 .

中国专利 :CN112872960B ,2025-02-18

[4]

一种晶片边缘抛光装置和抛光方法 [P].

朱亮 ;

沈文杰 ;

谢龙辉 ;

谢永旭 ;

陈明 ;

倪少博 ;

张帅 ;

曹建伟 .

中国专利 :CN112872960A ,2021-06-01

[5]

晶片抛光装置以及使用其的晶片抛光方法 [P].

朴禹植 .

中国专利 :CN107210211B ,2017-09-26

[6]

半导体晶片,抛光装置和方法 [P].

E·博维奥 ;

P·科尔贝利尼 ;

M·莫尔甘蒂 ;

G·内格里 ;

P·D·阿尔布雷克特 .

中国专利 :CN1461251A ,2003-12-10

[7]

晶片抛光方法与晶片抛光设备 [P].

薛松生 .

中国专利 :CN101256952A ,2008-09-03

[8]

抛光装置和抛光方法 [P].

窪田壮男 ;

重田厚 ;

丰田现 ;

高桥圭瑞 ;

福冈大作 ;

伊藤贤也 .

中国专利 :CN100452312C ,2007-09-19

[9]

抛光设备、抛光方法和抛光装置 [P].

彭云龙 .

中国专利 :CN119328655A ,2025-01-21

[10]

抛光装置和抛光方法 [P].

张晓强 ;

孙元成 ;

杜秀蓉 ;

宋学富 ;

王慧 ;

钟利强 ;

花宁 .

中国专利 :CN108857588A ,2018-11-23

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