一种高容量二氧化钼负极材料的制备方法及其应用

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专利类型
发明
申请号
CN201210100494.1
申请日
2012-04-09
公开(公告)号
CN102623687A
公开(公告)日
2012-08-01
发明(设计)人
胡先罗 罗巍 黄云辉 孙永明 李真 袁利霞 张五星
申请人
申请人地址
430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
IPC主分类号
H01M448
IPC分类号
H01M4131
代理机构
华中科技大学专利中心 42201
代理人
李佑宏
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种高容量二氧化钼/碳负极材料的制备方法 [P]. 
胡先罗 ;
孙永明 ;
黄云辉 ;
罗巍 ;
李真 ;
袁利霞 ;
张五星 .
中国专利 :CN102623677A ,2012-08-01
[2]
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[9]
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