发光二极管芯片及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111214759.6

申请日：

2021-10-19

公开(公告)号：

CN113964247A

公开(公告)日：

2022-01-21

发明(设计)人：

王东山王思博廖汉忠

申请人：

申请人地址：

223001 江苏省淮安市清河新区景秀路6号

IPC主分类号：

H01L3314

IPC分类号：

H01L3336

代理机构：

北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463

代理人：

王焕

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-21	公开	公开
2022-02-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/14 申请日:20211019

共 50 条

[1]

发光二极管芯片及其制作方法 [P].

王东山 ;

王思博 ;

廖汉忠 .

中国专利 :CN113964247B ,2024-01-30

[2]

发光二极管芯片的制作方法及发光二极管芯片 [P].

兰叶 ;

顾小云 .

中国专利 :CN110246934A ,2019-09-17

[3]

倒装发光二极管芯片及其制作方法 [P].

兰叶 ;

黄磊 ;

张威 ;

吴志浩 ;

李鹏 .

中国专利 :CN111446341B ,2020-07-24

[4]

倒装发光二极管芯片及其制作方法 [P].

兰叶 ;

黄磊 ;

张威 ;

吴志浩 ;

李鹏 .

中国专利 :CN111540818A ,2020-08-14

[5]

发光二极管芯片、发光二极管及其制作方法 [P].

尹灵峰 ;

吴志浩 ;

高艳龙 ;

魏柏林 ;

王江波 .

中国专利 :CN110165025A ,2019-08-23

[6]

发光二极管芯片及其制作方法 [P].

兰叶 ;

吴志浩 ;

李鹏 .

中国专利 :CN112289903B ,2021-01-29

[7]

发光二极管芯片及其制作方法 [P].

兰叶 ;

吴志浩 ;

李鹏 .

中国专利 :CN112216782A ,2021-01-12

[8]

发光二极管芯片及其制作方法 [P].

赖志成 .

中国专利 :CN102231413A ,2011-11-02

[9]

发光二极管芯片及其制作方法 [P].

黄彪彪 ;

肖和平 ;

汪洋 .

中国专利 :CN117374184A ,2024-01-09

[10]

一种发光二极管芯片及其制作方法 [P].

兰叶 ;

顾小云 ;

吴志浩 ;

王江波 .

中国专利 :CN108400215A ,2018-08-14

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