一种坩埚旋转下降法生长氟化物晶体的装置及方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110611010.9

申请日：

2021-06-02

公开(公告)号：

CN113174628A

公开(公告)日：

2021-07-27

发明(设计)人：

王庆国钱小波唐飞姜大朋苏良碧贾健许艳涛

申请人：

申请人地址：

201802 上海市嘉定区真南路4268号2幢J16043室

IPC主分类号：

C30B1100

IPC分类号：

C30B2806 C30B2912

代理机构：

上海骁象知识产权代理有限公司 31315

代理人：

赵峰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-27	公开	公开
2021-08-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 11/00 申请日:20210602
2022-01-25	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):C30B 11/00 变更事项:发明人变更前:王庆国钱小波唐飞姜大朋苏良碧贾健许艳涛变更后:王庆国姜大朋苏良碧贾健

共 50 条

[1]

一种坩埚旋转下降法生长氟化物晶体的装置 [P].

王庆国 ;

姜大朋 ;

苏良碧 ;

贾健 .

中国专利 :CN215713512U ,2022-02-01

[2]

一种真空坩埚旋转下降法晶体生长炉 [P].

沈彭平 ;

高光平 ;

周海军 .

中国专利 :CN207811925U ,2018-09-04

[3]

下降法定向生长氟化物晶体的方法及装置 [P].

李毅 ;

臧春雨 ;

臧春和 ;

姜晓光 ;

覃检涛 ;

崔凤泰 ;

万玉春 .

中国专利 :CN105297130A ,2016-02-03

[4]

一种真空坩埚旋转下降法晶体生长炉 [P].

郑锦刚 ;

翟海峰 .

中国专利 :CN221626434U ,2024-08-30

[5]

一种定向生长氟化物晶体的坩埚 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN216274454U ,2022-04-12

[6]

一种定向生长氟化物晶体的坩埚 [P].

徐悟生 ;

朱逢锐 ;

彭明林 ;

周方 ;

张斌 ;

李琛 ;

杨春晖 .

中国专利 :CN214458445U ,2021-10-22

[7]

一种下降法晶体生长坩埚 [P].

李留臣 ;

周正星 ;

徐建明 .

中国专利 :CN214271104U ,2021-09-24

[8]

一种下降法晶体生长坩埚 [P].

李留臣 ;

周正星 ;

徐建明 .

中国专利 :CN112663133A ,2021-04-16

[9]

同时生长多根氟化物晶体材料的坩埚 [P].

郭宗海 ;

张可生 .

中国专利 :CN208667892U ,2019-03-29

[10]

一种氟化物晶体生长的多坩埚真空下降炉装置及其生长方法 [P].

王庆国 ;

贾健 .

中国专利 :CN119980432A ,2025-05-13

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