一种具有多沟槽的LIGBT器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010535078.9

申请日：

2020-06-12

公开(公告)号：

CN111640785A

公开(公告)日：

2020-09-08

发明(设计)人：

李泽宏王志明程然蒲小庆胡汶金任敏张金平高巍张波

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29739 H01L21331

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

霍淑利

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20200612
2020-09-08	公开	公开
2021-09-07	授权	授权

共 50 条

[1]

一种具有多沟槽的LIGBT器件 [P].

李泽宏 ;

王志明 ;

程然 ;

蒲小庆 ;

胡汶金 ;

任敏 ;

张金平 ;

高巍 ;

张波 .

中国专利 :CN111640786B ,2020-09-08

[2]

一种具有多沟槽的LDMOS器件 [P].

李泽宏 ;

王志明 ;

程然 ;

蒲小庆 ;

胡汶金 ;

任敏 ;

张金平 ;

高巍 ;

张波 .

中国专利 :CN111640787A ,2020-09-08

[3]

一种具有载流子存储层的薄SOI LIGBT器件 [P].

罗小蓉 ;

杨洋 ;

孙涛 ;

魏杰 ;

邓高强 ;

黄琳华 ;

刘庆 ;

赵哲言 ;

曹厚华 ;

孙燕 .

中国专利 :CN107482058A ,2017-12-15

[4]

一种具有载流子存储层的薄SOI LIGBT器件 [P].

罗小蓉 ;

杨洋 ;

孙涛 ;

魏杰 ;

邓高强 ;

黄琳华 ;

刘庆 ;

赵哲言 ;

曹厚华 ;

孙燕 .

中国专利 :CN207199628U ,2018-04-06

[5]

一种具有集成NMOS管的LIGBT器件 [P].

杨可萌 ;

戴恺纬 ;

罗小蓉 ;

马臻 ;

邓高强 ;

魏杰 ;

李聪聪 ;

张森 ;

李杰 .

中国专利 :CN112687681A ,2021-04-20

[6]

一种具有多浮空场板的自适应SOI LIGBT器件 [P].

魏杰 ;

李杰 ;

戴恺伟 ;

马臻 ;

杨可萌 ;

罗小蓉 .

中国专利 :CN113707716A ,2021-11-26

[7]

一种具有折叠槽栅的薄SOI LIGBT [P].

罗小蓉 ;

樊雕 ;

李聪 ;

苏伟 ;

张科 ;

杨洋 ;

魏杰 ;

邓高强 ;

欧阳东法 ;

王晨霞 .

中国专利 :CN109887998A ,2019-06-14

[8]

一种SOI‑LIGBT器件 [P].

乔明 ;

詹珍雅 ;

章文通 ;

何逸涛 ;

肖倩倩 ;

王正康 ;

余洋 ;

张波 .

中国专利 :CN106847882A ,2017-06-13

[9]

具有双层场板的双沟槽SGT器件 [P].

李泽宏 ;

王彤阳 ;

李岫芸 ;

郭心如 ;

李陆坪 ;

赵一尚 ;

于洋 ;

陈建鹏 .

中国专利 :CN222582865U ,2025-03-07

[10]

一种具有载流子存储层的槽型SOI LIGBT [P].

罗小蓉 ;

孙涛 ;

黄琳华 ;

邓高强 ;

刘庆 ;

魏杰 ;

欧阳东法 ;

周坤 ;

张波 .

中国专利 :CN206774552U ,2017-12-19

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