一种半导体元器件蚀刻装置

被引:0
申请号
CN202220720871.0
申请日
2022-03-30
公开(公告)号
CN216957959U
公开(公告)日
2022-07-12
发明(设计)人
李建立 陈仁华 聂国勇
申请人
申请人地址
410001 湖南省长沙市高新开发区麓松路789号工业厂房一楼
IPC主分类号
H01L21306
IPC分类号
H01L2167
代理机构
长沙优企知识产权代理事务所(普通合伙) 43243
代理人
刘佳芳
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
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