半导体激光器芯片及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811393166.9

申请日：

2018-11-21

公开(公告)号：

CN111211479A

公开(公告)日：

2020-05-29

发明(设计)人：

郑兆祯陈长安

申请人：

申请人地址：

518052 广东省深圳市南山区学府路63号高新区联合总部大厦23楼、24楼

IPC主分类号：

H01S5022

IPC分类号：

代理机构：

深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280

代理人：

钟子敏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/022 申请日:20181121
2020-05-29	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体激光器芯片及其制备方法 [P].

侯继达 ;

杨惠婷 ;

李明欣 ;

魏明 .

中国专利 :CN120473813A ,2025-08-12

[2]

半导体激光器及其制备方法 [P].

郑兆祯 ;

陈长安 .

中国专利 :CN111211477A ,2020-05-29

[3]

半导体激光器芯片、半导体激光器及制造方法 [P].

魏思航 ;

周江昊 ;

刘巍 .

中国专利 :CN121238324A ,2025-12-30

[4]

半导体激光器芯片 [P].

川上俊之 .

日本专利 :CN120642159A ,2025-09-12

[5]

半导体激光器芯片、其封装方法及半导体激光器 [P].

赵碧瑶 ;

井红旗 ;

刘翠翠 ;

刘素平 ;

马骁宇 .

中国专利 :CN110289549A ,2019-09-27

[6]

半导体激光器芯片及其制造方法 [P].

近江晋 ;

岸本克彦 .

中国专利 :CN101276995B ,2008-10-01

[7]

半导体激光器及其制备方法 [P].

陈兵 ;

全蓉 ;

陈浩轩 .

中国专利 :CN118801203A ,2024-10-18

[8]

半导体激光器芯片及其制造方法、半导体激光装置 [P].

川上俊之 ;

有吉章 .

中国专利 :CN102088162A ,2011-06-08

[9]

半导体激光器非吸收窗口及其制备方法和半导体激光器 [P].

王俊 ;

赵智德 ;

程洋 .

中国专利 :CN110061416B ,2019-07-26

[10]

半导体激光器芯片及降低半导体激光器腔面表面态的方法 [P].

袁旭 ;

赵德胜 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN118137286A ,2024-06-04

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