一种高能量密度的钛酸锶钡基介电薄膜电容器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011333923.0

申请日：

2020-11-25

公开(公告)号：

CN112582173A

公开(公告)日：

2021-03-30

发明(设计)人：

娄晓杰朱孝培

申请人：

申请人地址：

710065 陕西省西安市高新区唐延南路东侧逸翠园－西安（二期）第３幢１单元８层１０８３５号房

IPC主分类号：

H01G412

IPC分类号：

H01G4008 H01G433

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01G 4/12 申请日:20201125
2021-03-30	公开	公开
2022-08-26	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01G 4/12 申请公布日:20210330

共 50 条

[1]

提高介电薄膜电容器储能密度的方法和介电薄膜电容器 [P].

陈德杨 ;

罗永健 ;

王长安 ;

周生强 .

中国专利 :CN113314342B ,2021-08-27

[2]

一种高能量密度电容器的制备方法 [P].

杨亚杰 ;

蒋亚东 ;

徐建华 ;

杨文耀 .

中国专利 :CN102623174A ,2012-08-01

[3]

一种高能量密度薄膜电容及其制备方法 [P].

王赫 ;

杨亦桐 ;

徐睿 ;

高鹏 .

中国专利 :CN106653360B ,2017-05-10

[4]

一种钛酸锶钡基电容器瓷料及其制备方法 [P].

张晨 ;

马士才 ;

王爱成 ;

朱春磊 ;

袁伦 .

中国专利 :CN104692797A ,2015-06-10

[5]

一种高能量密度电容器及其制备方法 [P].

陈昌林 ;

陈喜鸿 ;

郭少燕 ;

颜俊杰 ;

蔡少珠 ;

吴奕民 .

中国专利 :CN120299914A ,2025-07-11

[6]

一种微弧氧化制备钛酸锶钡介电薄膜及其方法 [P].

李文芳 ;

王敏 ;

郭会勇 ;

黄文波 .

中国专利 :CN102304744A ,2012-01-04

[7]

一种钛酸锶钡基介电温度稳定型陶瓷电容器材料的制备方法 [P].

曹万强 ;

陈威 ;

杨向荣 ;

刘培朝 ;

邱超群 .

中国专利 :CN103214238A ,2013-07-24

[8]

一种介电薄膜及其制备方法和薄膜电容器 [P].

党智敏 ;

郑明胜 .

中国专利 :CN111269448B ,2020-06-12

[9]

一种高能量密度的电容器 [P].

方立龙 ;

郭雄光 ;

王坤 .

中国专利 :CN209216803U ,2019-08-06

[10]

一种铋掺杂钛酸锶薄膜电容器及其制备方法 [P].

姚曼文 ;

李秋霞 ;

李菲 ;

彭勇 ;

苏振 ;

姚熹 .

中国专利 :CN106935398A ,2017-07-07

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