MEMS巨磁阻式高度压力传感器

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201220541716.9

申请日：

2012-10-22

公开(公告)号：

CN202853815U

公开(公告)日：

2013-04-03

发明(设计)人：

李孟委刘泽文刘双红孙剑文

申请人：

申请人地址：

100084 北京市海淀区100084信箱82分箱清华大学专利办公室

IPC主分类号：

G01L112

IPC分类号：

代理机构：

西安智大知识产权代理事务所 61215

代理人：

贾玉健

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-13	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01L 1/12 申请日:20121022 授权公告日:20130403 终止日期:20191022
2013-04-03	授权	授权

共 50 条

[1]

MEMS巨磁阻式高度压力传感器 [P].

李孟委 ;

刘泽文 ;

刘双红 ;

孙剑文 .

中国专利 :CN102914394A ,2013-02-06

[2]

巨磁阻式压力传感器 [P].

刘泽文 ;

李孟委 ;

李锡广 ;

孙振源 .

中国专利 :CN202853818U ,2013-04-03

[3]

MEMS隧道磁阻高度压力传感器 [P].

李孟委 ;

刘泽文 ;

刘双红 ;

孙剑文 .

中国专利 :CN202853817U ,2013-04-03

[4]

隧道磁阻压力传感器 [P].

刘泽文 ;

李孟委 ;

李锡广 ;

孙振源 .

中国专利 :CN102928132B ,2013-02-13

[5]

隧道磁阻压力传感器 [P].

刘泽文 ;

李孟委 ;

李锡广 ;

孙振源 .

中国专利 :CN202853816U ,2013-04-03

[6]

MEMS压力传感器 [P].

湛邵斌 ;

霍红颖 ;

胡涛 ;

高月芳 ;

王新中 .

中国专利 :CN206876312U ,2018-01-12

[7]

MEMS压力传感器 [P].

湛邵斌 ;

霍红颖 ;

胡涛 ;

高月芳 ;

王新中 .

中国专利 :CN107144378A ,2017-09-08

[8]

MEMS压力传感器 [P].

桑新文 ;

高洪连 ;

盛云 .

中国专利 :CN111928981A ,2020-11-13

[9]

MEMS压力传感器 [P].

桑新文 ;

高洪连 ;

盛云 .

中国专利 :CN212320965U ,2021-01-08

[10]

MEMS压力传感器 [P].

张睿 ;

康婷 .

中国专利 :CN105203233A ,2015-12-30

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