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SPAD光电二极管
被引:0
申请号
:
CN202210301458.5
申请日
:
2022-03-24
公开(公告)号
:
CN115132873A
公开(公告)日
:
2022-09-30
发明(设计)人
:
A·齐默
D·格兰斯基
R·A·比安基
申请人
:
申请人地址
:
法国克洛尔
IPC主分类号
:
H01L31107
IPC分类号
:
H01L310224
H01L3118
代理机构
:
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
:
董莘
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-09-30
公开
公开
共 50 条
[1]
SPAD光电二极管
[P].
诺伯特·穆西
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0
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0
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0
诺伯特·穆西
.
中国专利
:CN109690792B
,2019-04-26
[2]
SPAD型光电二极管
[P].
弗朗索瓦·阿耶尔
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弗朗索瓦·阿耶尔
;
奥利维尔·萨克斯奥德
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奥利维尔·萨克斯奥德
;
诺伯特·穆西
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诺伯特·穆西
.
中国专利
:CN114256373A
,2022-03-29
[3]
光电二极管
[P].
B·罗德里格斯·冈卡尔维斯
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B·罗德里格斯·冈卡尔维斯
;
A·图尼耶
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A·图尼耶
.
中国专利
:CN111564510A
,2020-08-21
[4]
光电二极管
[P].
B·罗德里格斯·冈卡尔维斯
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机构:
意法半导体(克洛尔2)公司
意法半导体(克洛尔2)公司
B·罗德里格斯·冈卡尔维斯
;
A·图尼耶
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机构:
意法半导体(克洛尔2)公司
意法半导体(克洛尔2)公司
A·图尼耶
.
法国专利
:CN111564510B
,2025-06-27
[5]
光电二极管
[P].
A·齐默
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A·齐默
;
D·格兰斯基
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D·格兰斯基
;
R·A·比安基
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R·A·比安基
.
中国专利
:CN217426769U
,2022-09-13
[6]
光电二极管
[P].
B·罗德里格斯·冈卡尔维斯
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B·罗德里格斯·冈卡尔维斯
;
A·图尼耶
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A·图尼耶
.
中国专利
:CN211929506U
,2020-11-13
[7]
光电二极管以及光电二极管阵列
[P].
山村和久
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山村和久
;
坂本明
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坂本明
;
永野辉昌
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永野辉昌
;
石川嘉隆
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石川嘉隆
;
河合哲
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河合哲
.
中国专利
:CN102334198A
,2012-01-25
[8]
光电二极管以及光电二极管阵列
[P].
山村和久
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山村和久
;
坂本明
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坂本明
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永野辉昌
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永野辉昌
;
石川嘉隆
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石川嘉隆
;
河合哲
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河合哲
.
中国专利
:CN103606588A
,2014-02-26
[9]
光电二极管以及光电二极管阵列
[P].
山村和久
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山村和久
;
坂本明
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坂本明
;
永野辉昌
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永野辉昌
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石川嘉隆
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石川嘉隆
;
河合哲
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河合哲
.
中国专利
:CN104201219A
,2014-12-10
[10]
光电二极管以及光电二极管阵列
[P].
山村和久
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山村和久
;
坂本明
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坂本明
;
永野辉昌
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永野辉昌
;
石川嘉隆
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石川嘉隆
;
河合哲
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河合哲
.
中国专利
:CN102334199B
,2012-01-25
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