半导体结构及其形成方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201310113655.5
申请日
2013-04-02
公开(公告)号
CN104103573B
公开(公告)日
2014-10-15
发明(设计)人
李广宁 沈哲敏
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
H01L21768
IPC分类号
H01L2348
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
骆苏华
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
张海洋 ;
郑喆 .
中国专利 :CN106206304A ,2016-12-07
[2]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
刘继全 ;
龚春蕾 .
中国专利 :CN107039275B ,2017-08-11
[3]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
邓浩 ;
张彬 .
中国专利 :CN103165514A ,2013-06-19
[4]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
朱一明 ;
王晓光 .
中国专利 :CN114695353A ,2022-07-01
[5]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
胡平 ;
金达 ;
洪明杰 ;
刘磊 ;
施雪捷 ;
陈志刚 ;
徐俊 ;
任保军 .
中国专利 :CN105448805A ,2016-03-30
[6]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
赵振阳 .
中国专利 :CN118198108A ,2024-06-14
[7]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
刘昌伙 .
中国专利 :CN120264929A ,2025-07-04
[8]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
周飞 .
中国专利 :CN107180861B ,2017-09-19
[9]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
韩秋华 .
中国专利 :CN105826176B ,2016-08-03
[10]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
王胜 ;
王彦 .
中国专利 :CN114068452A ,2022-02-18