一种GaN功放脉冲调制电路

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201621242414.6

申请日：

2016-11-17

公开(公告)号：

CN206164492U

公开(公告)日：

2017-05-10

发明(设计)人：

颜朝姜典彬孙德同何双

申请人：

申请人地址：

432000 湖北省孝感市湖北孝感市北京路46号

IPC主分类号：

H03K700

IPC分类号：

H03F130

代理机构：

武汉东喻专利代理事务所(普通合伙) 42224

代理人：

李佑宏

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-10	授权	授权

共 50 条

[1]

一种基于PMOS管的GaN功放脉冲调制电路 [P].

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[2]

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王志国 .

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[3]

一种射频脉冲调制信号产生电路及射频脉冲调制设备 [P].

黄庆犨 ;

张治海 ;

杨胜领 ;

程军强 .

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[4]

一种脉冲调制控制电路 [P].

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[5]

脉冲调制电路 [P].

芳贺博之 ;

大须贺央 .

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[6]

触发晶闸管的脉冲调制电路 [P].

陈广辉 ;

乔一伦 ;

刘敏通 ;

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[7]

一种脉冲调制电路 [P].

叶启龙 .

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[8]

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[9]

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[10]

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崔玉波 ;

汪建岗 ;

管玉静 .

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