自对准金属硅化物的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910197368.0

申请日：

2009-10-19

公开(公告)号：

CN102044422A

公开(公告)日：

2011-05-04

发明(设计)人：

孔祥涛卢炯平杨瑞鹏聂佳相

申请人：

申请人地址：

201203 上海市张江路18号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21283 H01L21336

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

屈蘅;李时云

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-06-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101080108742 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2009101973680 申请日:20091019
2011-05-04	公开	公开
2012-07-04	授权	授权

共 50 条

[1]

自对准金属硅化物的形成方法 [P].

杨瑞鹏 ;

孔祥涛 ;

聂佳相 ;

胡宇慧 .

中国专利 :CN102024690A ,2011-04-20

[2]

自对准金属硅化物的形成方法 [P].

徐友锋 ;

宁超 ;

保罗 .

中国专利 :CN102122613A ,2011-07-13

[3]

自对准金属硅化物的形成方法 [P].

石永昱 ;

王栩 .

中国专利 :CN102117744A ,2011-07-06

[4]

自对准金属硅化物的形成方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN103137462A ,2013-06-05

[5]

自对准金属硅化物的形成方法 [P].

罗军 ;

赵超 ;

钟汇才 .

中国专利 :CN102569048A ,2012-07-11

[6]

自对准金属硅化物的形成方法 [P].

曾海 ;

花蔚蔚 .

中国专利 :CN115116837A ,2022-09-27

[7]

自对准金属硅化物的形成方法 [P].

石永昱 ;

王栩 .

中国专利 :CN102142366A ,2011-08-03

[8]

自对准金属硅化物的形成方法 [P].

胡启民 ;

王龙鑫 ;

向超 ;

范晓 .

中国专利 :CN113223948B ,2021-08-06

[9]

自对准金属硅化物的形成方法 [P].

肖天金 .

中国专利 :CN104362087A ,2015-02-18

[10]

自对准金属硅化物的形成方法 [P].

肖天金 .

中国专利 :CN104319236A ,2015-01-28

← 1 2 3 4 5 →