一种孔隙率高的碳化硅多孔陶瓷制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810553667.2

申请日：

2018-06-01

公开(公告)号：

CN108484210A

公开(公告)日：

2018-09-04

发明(设计)人：

肖克生

申请人：

申请人地址：

236500 安徽省阜阳市界首市靳寨乡冢杨村北侧

IPC主分类号：

C04B3806

IPC分类号：

C04B35565 C04B35622

代理机构：

合肥广源知识产权代理事务所(普通合伙) 34129

代理人：

宋宇晴

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-04	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):C04B 38/06 登记生效日:20201120 变更事项:申请人变更前权利人:界首市静峰新型建材有限公司变更后权利人:阜阳市鑫源建材有限公司变更事项:地址变更前权利人:236500 安徽省阜阳市界首市靳寨乡冢杨村北侧变更后权利人:236000 安徽省阜阳市颍泉区循环经济园区
2020-12-08	授权	授权
2018-09-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 38/06 申请日:20180601
2018-09-04	公开	公开

共 50 条

[1]

一种制备高孔隙率多孔碳化硅陶瓷的方法 [P].

时利民 ;

赵宏生 ;

唐春和 ;

闫迎辉 ;

梁彤祥 .

中国专利 :CN100395211C ,2005-11-23

[2]

高孔隙率碳化硅陶瓷膜 [P].

袁林峰 ;

何俊俊 ;

姚欣 .

中国专利 :CN220425014U ,2024-02-02

[3]

一种孔隙率可控的多孔碳化硅陶瓷的制备方法 [P].

徐慢 ;

曹宏 ;

石和彬 ;

陈常连 ;

沈凡 ;

季家友 ;

王树林 ;

薛俊 ;

安子博 ;

赵静 ;

王亮 ;

祝云 .

中国专利 :CN104193395A ,2014-12-10

[4]

一种高孔隙率碳化硅基多孔陶瓷材料的制备方法 [P].

王传彬 ;

陈斐 ;

张联盟 .

中国专利 :CN109553420A ,2019-04-02

[5]

一种高孔隙率及低热导率多孔纳米碳化硅陶瓷的制备方法 [P].

王京阳 ;

万鹏 ;

吴贞 .

中国专利 :CN108218467A ,2018-06-29

[6]

一种高孔隙率多孔陶瓷的制备方法 [P].

周健儿 ;

马光华 ;

刘阳 ;

顾幸勇 ;

江伟辉 ;

朱小平 ;

唐昕 .

中国专利 :CN1477083A ,2004-02-25

[7]

高孔隙率多孔陶瓷的制备方法 [P].

毛小建 ;

王士维 .

中国专利 :CN100371303C ,2006-02-22

[8]

碳化硅多孔陶瓷的制备方法 [P].

张小立 .

中国专利 :CN103833405A ,2014-06-04

[9]

高孔隙率开孔碳化锆多孔陶瓷的制备方法 [P].

赵康 ;

许卓利 ;

李福平 ;

汤玉斐 .

中国专利 :CN108046805B ,2018-05-18

[10]

一种碳化硅多孔陶瓷的制备方法 [P].

曾小锋 ;

李勇全 .

中国专利 :CN106810290A ,2017-06-09

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