漂移探测器及其制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201811579326.9
申请日
2018-12-21
公开(公告)号
CN109671798A
公开(公告)日
2019-04-23
发明(设计)人
贾锐 刘赛 姜帅 陶科 刘新宇
申请人
申请人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
IPC主分类号
H01L31115
IPC分类号
H01L310224 H01L3118
代理机构
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人
任岩
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
漂移探测器及其制作方法 [P]. 
贾锐 ;
姜帅 ;
陶科 ;
刘赛 ;
刘新宇 .
中国专利 :CN109671797A ,2019-04-23
[2]
漂移探测器及其制作方法 [P]. 
贾锐 ;
姜帅 ;
陶科 ;
刘赛 ;
刘新宇 .
中国专利 :CN109671799B ,2019-04-23
[3]
光电探测器、集成光电探测器及其制作方法 [P]. 
张济志 .
中国专利 :CN111312848A ,2020-06-19
[4]
TFT及其制作方法、阵列基板及其制作方法、X射线探测器 [P]. 
高会朝 ;
田宗民 ;
李鹏 .
中国专利 :CN103474474A ,2013-12-25
[5]
探测器及其制作方法、探测装置 [P]. 
李雪飞 ;
陆书龙 ;
吴渊渊 ;
龙军华 .
中国专利 :CN111668337B ,2024-02-02
[6]
探测器及其制作方法、探测装置 [P]. 
李雪飞 ;
陆书龙 ;
吴渊渊 ;
龙军华 .
中国专利 :CN111668337A ,2020-09-15
[7]
光电探测结构及其制作方法、光电探测器 [P]. 
马占洁 .
中国专利 :CN107170842B ,2017-09-15
[8]
光电探测器及其制作方法 [P]. 
谢宗恒 ;
赵雅芝 ;
谢拾玉 .
中国专利 :CN119816006A ,2025-04-11
[9]
硅基光电探测器及其制作方法 [P]. 
盛振 ;
武爱民 ;
仇超 ;
赵瑛璇 ;
高腾 ;
甘甫烷 ;
王曦 .
中国专利 :CN108878544A ,2018-11-23
[10]
一种MSM光电探测器及其制作方法 [P]. 
周长见 ;
吕喆 ;
冯志红 ;
蔚翠 .
中国专利 :CN108987525B ,2018-12-11