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漂移探测器及其制作方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201811579326.9
申请日
:
2018-12-21
公开(公告)号
:
CN109671798A
公开(公告)日
:
2019-04-23
发明(设计)人
:
贾锐
刘赛
姜帅
陶科
刘新宇
申请人
:
申请人地址
:
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
IPC主分类号
:
H01L31115
IPC分类号
:
H01L310224
H01L3118
代理机构
:
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人
:
任岩
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-05-17
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/115 申请日:20181221
2019-04-23
公开
公开
2020-08-04
授权
授权
共 50 条
[1]
漂移探测器及其制作方法
[P].
贾锐
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贾锐
;
姜帅
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姜帅
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陶科
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陶科
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刘赛
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刘赛
;
刘新宇
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刘新宇
.
中国专利
:CN109671797A
,2019-04-23
[2]
漂移探测器及其制作方法
[P].
贾锐
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贾锐
;
姜帅
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姜帅
;
陶科
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陶科
;
刘赛
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刘赛
;
刘新宇
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刘新宇
.
中国专利
:CN109671799B
,2019-04-23
[3]
光电探测器、集成光电探测器及其制作方法
[P].
张济志
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张济志
.
中国专利
:CN111312848A
,2020-06-19
[4]
TFT及其制作方法、阵列基板及其制作方法、X射线探测器
[P].
高会朝
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高会朝
;
田宗民
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田宗民
;
李鹏
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李鹏
.
中国专利
:CN103474474A
,2013-12-25
[5]
探测器及其制作方法、探测装置
[P].
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机构:
李雪飞
;
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机构:
陆书龙
;
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机构:
吴渊渊
;
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机构:
龙军华
.
中国专利
:CN111668337B
,2024-02-02
[6]
探测器及其制作方法、探测装置
[P].
李雪飞
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李雪飞
;
陆书龙
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陆书龙
;
吴渊渊
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吴渊渊
;
龙军华
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龙军华
.
中国专利
:CN111668337A
,2020-09-15
[7]
光电探测结构及其制作方法、光电探测器
[P].
马占洁
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马占洁
.
中国专利
:CN107170842B
,2017-09-15
[8]
光电探测器及其制作方法
[P].
谢宗恒
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机构:
上海新微半导体有限公司
上海新微半导体有限公司
谢宗恒
;
赵雅芝
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机构:
上海新微半导体有限公司
上海新微半导体有限公司
赵雅芝
;
谢拾玉
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机构:
上海新微半导体有限公司
上海新微半导体有限公司
谢拾玉
.
中国专利
:CN119816006A
,2025-04-11
[9]
硅基光电探测器及其制作方法
[P].
盛振
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盛振
;
武爱民
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武爱民
;
仇超
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仇超
;
赵瑛璇
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赵瑛璇
;
高腾
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高腾
;
甘甫烷
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甘甫烷
;
王曦
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王曦
.
中国专利
:CN108878544A
,2018-11-23
[10]
一种MSM光电探测器及其制作方法
[P].
周长见
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周长见
;
吕喆
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吕喆
;
冯志红
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冯志红
;
蔚翠
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蔚翠
.
中国专利
:CN108987525B
,2018-12-11
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