LDMOS晶体管

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201820816599.X
申请日
2018-05-29
公开(公告)号
CN208385411U
公开(公告)日
2019-01-15
发明(设计)人
王猛 喻慧
申请人
申请人地址
310012 浙江省杭州市西湖区文三路90号71幢A1501-A1505、A1509-A1511室
IPC主分类号
H01L29423
IPC分类号
H01L2978
代理机构
代理人
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
一种LDMOS晶体管结构 [P]. 
许凯 ;
张亦舒 .
中国专利 :CN216958042U ,2022-07-12
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LDMOS晶体管制造方法及LDMOS晶体管 [P]. 
杨文清 ;
张帅 .
中国专利 :CN103165452A ,2013-06-19
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LDMOS晶体管 [P]. 
G·马 ;
O·托恩布拉德 .
中国专利 :CN100530689C ,2007-01-03
[4]
LDMOS晶体管 [P]. 
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蔡军 .
中国专利 :CN119170645A ,2024-12-20
[5]
LDMOS晶体管 [P]. 
维什努·K·凯姆卡 ;
维贾·帕塔萨拉蒂 ;
祝荣华 ;
阿米塔瓦·鲍斯 .
中国专利 :CN100481493C ,2007-05-30
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LDMOS晶体管 [P]. 
斯蒂芬·J·C·H·特厄乌文 ;
弗雷尔克·范瑞哲 ;
彼得拉·C·A·哈梅斯 .
中国专利 :CN101238585A ,2008-08-06
[7]
LDMOS晶体管 [P]. 
吴俊庆 ;
王柏仁 .
中国专利 :CN107123678A ,2017-09-01
[8]
LDMOS晶体管 [P]. 
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蔡军 .
中国专利 :CN119170646A ,2024-12-20
[9]
LDMOS晶体管 [P]. 
G·马 .
中国专利 :CN100585875C ,2008-01-02
[10]
LDMOS晶体管 [P]. 
弗雷尔克·范瑞哲 ;
斯蒂芬·J·C·H·特厄乌文 ;
彼得拉·C·A·哈梅斯 .
中国专利 :CN101218682A ,2008-07-09