石墨烯纳米线薄膜及其制备方法、以及薄膜晶体管阵列

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910504657.4

申请日：

2019-06-11

公开(公告)号：

CN110316726B

公开(公告)日：

2019-10-11

发明(设计)人：

夏玉明卓恩宗

申请人：

申请人地址：

518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民营工业园惠科工业园厂房1、2、3栋，九州阳光1号厂房5、7楼

IPC主分类号：

C01B32186

IPC分类号：

C01B32194 C25D1104 H01L2712

代理机构：

深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287

代理人：

胡海国

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-02	授权	授权
2019-11-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 32/186 申请日:20190611
2019-10-11	公开	公开

共 50 条

[1]

金属纳米线薄膜及其制备方法以及薄膜晶体管阵列 [P].

夏玉明 ;

卓恩宗 .

中国专利 :CN110364429B ,2019-10-22

[2]

石墨烯薄膜及其制备方法、以及薄膜晶体管阵列 [P].

夏玉明 ;

卓恩宗 ;

余思慧 .

中国专利 :CN112680719A ,2021-04-20

[3]

石墨烯碳纳米管复合膜及其制备方法以及薄膜晶体管阵列 [P].

夏玉明 ;

卓恩宗 ;

叶利丹 .

中国专利 :CN112456470A ,2021-03-09

[4]

金属纳米线导电薄膜的制备方法及薄膜晶体管 [P].

夏玉明 ;

卓恩宗 .

中国专利 :CN110310891B ,2019-10-08

[5]

石墨烯碳纳米管复合膜及其制备方法以及薄膜晶体管阵列 [P].

夏玉明 ;

卓恩宗 ;

张勇 ;

叶利丹 .

中国专利 :CN112538611B ,2021-03-23

[6]

石墨烯碳纳米管复合膜及其制备方法、以及薄膜晶体管阵列 [P].

夏玉明 ;

卓恩宗 ;

袁海江 .

中国专利 :CN112537769A ,2021-03-23

[7]

一种石墨烯导电薄膜的制备方法及薄膜晶体管 [P].

夏玉明 ;

卓恩宗 .

中国专利 :CN110323270B ,2019-10-11

[8]

石墨烯导电薄膜的制备方法、以及薄膜晶体管和显示装置 [P].

夏玉明 ;

卓恩宗 ;

余思慧 .

中国专利 :CN112885895A ,2021-06-01

[9]

薄膜晶体管和薄膜晶体管阵列面板 [P].

李镕守 ;

姜闰浩 ;

柳世桓 ;

张宗燮 .

中国专利 :CN102916050A ,2013-02-06

[10]

氧化铟锡纳米线及其制备方法和薄膜晶体管 [P].

卓恩宗 ;

夏玉明 ;

许哲豪 ;

郑浩旋 .

中国专利 :CN113140452A ,2021-07-20

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