一种碳化硅功率二极管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010206337.3

申请日：

2020-03-23

公开(公告)号：

CN113437132A

公开(公告)日：

2021-09-24

发明(设计)人：

陈道坤史波曾丹马颖江

申请人：

申请人地址：

519015 广东省珠海市香洲区吉大景山路莲山巷8号1001室

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29868 H01L29872 H01L21329

代理机构：

北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291

代理人：

刘红彬

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20200323
2021-09-24	公开	公开

共 50 条

[1]

一种碳化硅功率二极管及其制备方法 [P].

陈道坤 ;

史波 ;

曾丹 ;

马颖江 .

中国专利 :CN113437132B ,2025-05-02

[2]

一种碳化硅功率二极管 [P].

陈道坤 ;

史波 ;

曾丹 ;

马颖江 .

中国专利 :CN211350654U ,2020-08-25

[3]

碳化硅肖特基二极管及其制备方法 [P].

郎金荣 ;

刘奇斌 ;

程小强 .

中国专利 :CN111987139A ,2020-11-24

[4]

碳化硅肖特基二极管及其制备方法 [P].

李诚瞻 ;

戴小平 ;

吴煜东 ;

赵艳黎 ;

周正东 ;

罗烨辉 .

中国专利 :CN112713199A ,2021-04-27

[5]

碳化硅肖特基二极管及其制备方法 [P].

李诚瞻 ;

戴小平 ;

吴煜东 ;

赵艳黎 ;

周正东 .

中国专利 :CN112750896B ,2021-05-04

[6]

碳化硅二极管及其制备方法 [P].

陈道坤 ;

史波 ;

曾丹 ;

敖利波 .

中国专利 :CN112701165A ,2021-04-23

[7]

碳化硅二极管及其制备方法 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN114068679B ,2025-02-07

[8]

碳化硅二极管及其制备方法 [P].

王辉 ;

蔡勇 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN106298967B ,2017-01-04

[9]

碳化硅二极管及其制备方法 [P].

何钧 ;

郑柳 .

中国专利 :CN109473485A ,2019-03-15

[10]

碳化硅二极管及其制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN114068679A ,2022-02-18

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