含有氧化钼的薄膜的制造方法、含有氧化钼的薄膜的形成用原料以及钼酰胺化合物

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280020076.X

申请日：

2012-05-11

公开(公告)号：

CN103562434A

公开(公告)日：

2014-02-05

发明(设计)人：

佐藤宏树上山润二

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C23C1640

IPC分类号：

C07C21103 H01L2128 H01L21285 C07F1100

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

张楠;陈建全

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-08-03	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C23C 16/40 申请公布日:20140205
2014-02-05	公开	公开
2014-03-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101579534956 IPC(主分类):C23C 16/40 专利申请号:201280020076X 申请日:20120511

共 50 条

[1]

含有钼的薄膜的制造方法、薄膜形成用原料及钼酰亚胺化合物 [P].

佐藤宏树 ;

上山润二 .

中国专利 :CN104603327B ,2015-05-06

[2]

用于形成含钼薄膜的化合物、含钼薄膜及其制造方法 [P].

李太荣 ;

崔雄辰 ;

白善英 ;

金信范 ;

池成俊 ;

金健熙 ;

李汉斌 .

韩国专利 :CN121108194A ,2025-12-12

[3]

棒状氧化钼的制备方法以及氧化钼复合材料的制备方法 [P].

宋哲沃 ;

黄教贤 ;

赵娥罗 ;

方晸业 .

中国专利 :CN106604892B ,2017-04-26

[4]

锡掺杂氧化钼薄膜、基于锡掺杂氧化钼薄膜的宽光谱光电探测器阵列及其制备方法 [P].

谢伟广 ;

何锐辉 ;

赖浩杰 .

中国专利 :CN109449247A ,2019-03-08

[5]

掺杂氧化钼复合薄膜的制备系统及制备方法 [P].

崔义 ;

李雅娟 ;

马昌期 ;

沈阳 ;

袁敏 ;

魏伟 .

中国专利 :CN120591758A ,2025-09-05

[6]

采用氧化钼冶炼含钼合金钢的方法 [P].

郭培民 ;

李正邦 ;

林功文 .

中国专利 :CN1109771C ,2001-07-11

[7]

一种钼原料深度挥发分离三氧化钼的方法 [P].

孙虎 ;

韩桂洪 ;

黄艳芳 ;

刘兵兵 ;

尤梦玉 ;

冯阳豪 ;

郭慧 .

中国专利 :CN120922920A ,2025-11-11

[8]

用于制造氯氧化钼的方法及其制造设备 [P].

朴柱晧 ;

赵成进 ;

李敬恩 ;

梁泽承 ;

宋昌镐 ;

金震东 .

韩国专利 :CN119976966A ,2025-05-13

[9]

一种氧化钼的制备方法 [P].

陈晓晖 ;

代智超 ;

徐圣强 ;

黄清明 ;

胡辉 .

中国专利 :CN106517331A ,2017-03-22

[10]

高纯三氧化钼的制备方法 [P].

车玉思 ;

孙紫昂 ;

陈永强 ;

宋建勋 ;

何季麟 .

中国专利 :CN113511680B ,2021-10-19

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