在绝缘衬底上制备大面积双层石墨烯薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710811440.9

申请日：

2017-09-11

公开(公告)号：

CN107604338B

公开(公告)日：

2018-01-19

发明(设计)人：

孙海斌高延利张崇武王俊雅王其尚许军旗

申请人：

申请人地址：

464000 河南省信阳市浉河区长安路237号

IPC主分类号：

C23C1626

IPC分类号：

C23C1644

代理机构：

常州市科谊专利代理事务所 32225

代理人：

孙彬

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-01-19	公开	公开
2018-02-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/26 申请日:20170911
2019-06-25	授权	授权

共 50 条

[1]

一种在铁基衬底上制备大面积高质量石墨烯的方法 [P].

刘云圻 ;

薛运周 ;

武斌 ;

黄丽平 ;

郭云龙 ;

陈建毅 ;

刘洪涛 ;

耿德超 ;

于贵 .

中国专利 :CN102011100A ,2011-04-13

[2]

超大面积高质量石墨烯薄膜电极的制备方法 [P].

陈远富 ;

王泽高 ;

李言荣 .

中国专利 :CN101760724B ,2010-06-30

[3]

一种在绝缘衬底上生长大面积石墨烯的方法 [P].

陈建辉 ;

吴孝松 ;

施图万 ;

俞大鹏 .

中国专利 :CN103172061A ,2013-06-26

[4]

一种大面积均匀单层石墨烯薄膜的制备方法 [P].

武斌 ;

姚文乾 ;

张家宁 ;

刘云圻 .

中国专利 :CN114684813A ,2022-07-01

[5]

制备单晶双层石墨烯的方法 [P].

孙海斌 ;

刘江峰 ;

马玉娟 ;

罗永松 ;

许军旗 ;

娄志恒 .

中国专利 :CN105483824A ,2016-04-13

[6]

一种基于电镀铜衬底制备大面积石墨烯薄膜的方法 [P].

李铁 ;

王文荣 ;

周玉修 ;

王跃林 .

中国专利 :CN102212794A ,2011-10-12

[7]

合金法制备大面积石墨烯薄膜 [P].

许子寒 .

中国专利 :CN102808149A ,2012-12-05

[8]

一种在绝缘衬底上原位生长掺杂石墨烯薄膜的制备方法 [P].

张永娜 ;

李占成 ;

高翾 ;

黄德萍 ;

朱鹏 ;

姜浩 ;

史浩飞 .

中国专利 :CN104532206A ,2015-04-22

[9]

大面积石墨烯的制备方法 [P].

张荣德 ;

宋健民 .

中国专利 :CN106915739A ,2017-07-04

[10]

大面积石墨烯的制备方法 [P].

张荣德 ;

宋健民 .

中国专利 :CN106829928A ,2017-06-13

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