半导体器件及其形成方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201710907219.3
申请日
2017-09-29
公开(公告)号
CN109585379A
公开(公告)日
2019-04-05
发明(设计)人
周飞
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
H01L218249
IPC分类号
H01L2706 H01L2978
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
徐文欣;吴敏
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
周飞 .
中国专利 :CN110021662B ,2019-07-16
[2]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
周飞 .
中国专利 :CN109994547B ,2019-07-09
[3]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
洪中山 .
中国专利 :CN103545179B ,2014-01-29
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半导体器件及其形成方法 [P]. 
周飞 .
中国专利 :CN110707040A ,2020-01-17
[5]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
李勇 .
中国专利 :CN109103252A ,2018-12-28
[6]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
李勇 .
中国专利 :CN109087861A ,2018-12-25
[7]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
李勇 .
中国专利 :CN109786248A ,2019-05-21
[8]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
周飞 .
中国专利 :CN109979986B ,2019-07-05
[9]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
周飞 .
中国专利 :CN110534569A ,2019-12-03
[10]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
三重野文健 .
中国专利 :CN104217992A ,2014-12-17