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过热自我保护的半导体三极管
被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN202120538352.8
申请日：
2021-03-15
公开(公告)号：
CN215008204U
公开(公告)日：
2021-12-03
发明(设计)人：
王雪姬
申请人：
申请人地址：
518100 广东省深圳市宝安区新安街道大浪社区创业二路东联大厦B506
IPC主分类号：
H01L23427
IPC分类号：
H01L2349
H01L2973
代理机构：
深圳市创富知识产权代理有限公司 44367
代理人：
佘婷婷
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-12-03 | 授权 | 授权 |