8－羟基喹啉铝纳米晶的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710073648.1

申请日：

2007-03-23

公开(公告)号：

CN101270128A

公开(公告)日：

2008-09-24

发明(设计)人：

李亚栋陈伟

申请人：

申请人地址：

100084北京市海淀区清华大学清华－富士康纳米科技研究中心310号

IPC主分类号：

C07F506

IPC分类号：

B82B100

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-05-23	授权	授权
2008-09-24	公开	公开
2008-11-19	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

8－羟基喹啉铝的制备方法 [P].

吴学 ;

张美善 ;

金京一 ;

李秀花 ;

周子彦 .

中国专利 :CN1944440A ,2007-04-11

[2]

发蓝光的8－羟基喹啉铝及制备方法 [P].

许并社 ;

王华 ;

郝玉英 ;

周禾丰 ;

李洁 ;

阮莉敏 .

中国专利 :CN1597669A ,2005-03-23

[3]

有机电致发光材料8－羟基喹啉铝的制备方法 [P].

许并社 ;

王华 ;

周禾丰 ;

卢英兰 ;

郝玉英 ;

李洁 ;

郝海涛 ;

陆路 .

中国专利 :CN1427001A ,2003-07-02

[4]

8-羟基喹啉的制备 [P].

柯保桂 .

中国专利 :CN86102086A ,1987-10-07

[5]

一种自组装8‑羟基喹啉铝结晶微/纳米颗粒的制备方法 [P].

庞智勇 ;

谢万峰 ;

韩圣浩 ;

姜丰 ;

邬宗永 .

中国专利 :CN104529892B ,2015-04-22

[6]

8－羟基喹啉铝/氧化硅复合发光材料的制备方法 [P].

曾洪宇 ;

施剑林 .

中国专利 :CN1803971A ,2006-07-19

[7]

溶剂热制备8-羟基喹啉镉纳米带的方法 [P].

毛昌杰 ;

陈西宝 ;

胡晓炜 ;

宋吉明 ;

牛和林 ;

张胜义 ;

金葆康 .

中国专利 :CN102190672A ,2011-09-21

[8]

一种包覆8-羟基喹啉铝的制备方法 [P].

许并社 ;

王华 ;

张俊萍 ;

刘晓云 ;

张存 ;

宋春丽 ;

李娟 ;

郝玉英 .

中国专利 :CN102134483A ,2011-07-27

[9]

一种直接制备纯8-羟基喹啉铝的方法 [P].

钟学明 .

中国专利 :CN104151238A ,2014-11-19

[10]

8-羟基喹啉铝发光器件及其制造方法 [P].

周明杰 ;

马文波 ;

罗茜 .

中国专利 :CN101777631A ,2010-07-14

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