一种智能功率MOSFET逆变模块

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201711064431.4
申请日
2017-11-02
公开(公告)号
CN109756127B
公开(公告)日
2019-05-14
发明(设计)人
李春林 车湖深 李彦莹
申请人
申请人地址
401331 重庆市沙坪坝区西永大道25号
IPC主分类号
H02M700
IPC分类号
代理机构
上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
代理人
余明伟
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
功率MOSFET逆变模块 [P]. 
李春林 ;
李彦莹 ;
车湖深 .
中国专利 :CN304657224S ,2018-06-01
[2]
一种高集成度的功率MOSFET逆变模块 [P]. 
车湖深 ;
李彦莹 ;
于今 .
中国专利 :CN107946272A ,2018-04-20
[3]
逆变功率模块 [P]. 
尹梅 ;
张晋芳 ;
冷丽英 ;
刘志敏 .
中国专利 :CN103916034B ,2014-07-09
[4]
功率逆变模块(IGBT) [P]. 
车湖深 ;
李彦莹 ;
于今 .
中国专利 :CN304767499S ,2018-08-10
[5]
一种半桥智能逆变模块 [P]. 
张佳琪 .
中国专利 :CN118473230A ,2024-08-09
[6]
一种逆变模块 [P]. 
谢吉湖 ;
马宗煊 ;
孙豫龙 ;
黄志超 ;
林双 .
中国专利 :CN112533434A ,2021-03-19
[7]
中等功率逆变模块 [P]. 
陆翀 .
中国专利 :CN303622747S ,2016-03-23
[8]
大功率逆变模块(一) [P]. 
陆翀 .
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[9]
大功率MOSFET逆变式等离子切割机 [P]. 
徐爱平 .
中国专利 :CN201249327Y ,2009-06-03
[10]
一种逆变复合母排以及逆变功率单元 [P]. 
梁海刚 ;
张丹 ;
李艳伟 ;
王亮亮 ;
王翠云 ;
俞晓丽 .
中国专利 :CN112928967A ,2021-06-08