低功率存储器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202080028722.1

申请日：

2020-04-16

公开(公告)号：

CN113728389A

公开(公告)日：

2021-11-30

发明(设计)人：

郑春明金基中晶昌镐 V·宝娜帕里

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

G11C11419

IPC分类号：

G11C706

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

赵林琳;傅远

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-30	公开	公开
2021-12-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 11/419 申请日:20200416

共 50 条

[1]

低功率存储器 [P].

郑春明 ;

金基中 ;

晶昌镐 ;

V·宝娜帕里 .

美国专利 :CN113728389B ,2025-12-16

[2]

低功率存储器 [P].

萧志成 .

中国专利 :CN104867517A ,2015-08-26

[3]

低功率存储器节流 [P].

凯达尔纳特·巴拉里斯南 ;

凯文·M·布朗德 ;

詹姆斯·R·麦格罗 .

中国专利 :CN109219806A ,2019-01-15

[4]

低功率存储器控制电路和方法 [P].

柳承汶 ;

崔明灿 ;

金宁泰 ;

孙圣周 ;

韩祥均 ;

李瑄珩 .

中国专利 :CN101501778A ,2009-08-05

[5]

低功率和快速存储器复位 [P].

H·拉瓦特 ;

P·K·维玛 .

中国专利 :CN115620768A ,2023-01-17

[6]

存储器装置低功率模式 [P].

M·D·里希特 ;

T·海因 ;

W·A·斯皮尔科 ;

M·布罗克斯 ;

P·迈尔 .

美国专利 :CN113196397B ,2024-06-18

[7]

低功率存储器写入操作 [P].

K·J·多里 .

中国专利 :CN113539326A ,2021-10-22

[8]

低功率相变存储器单元 [P].

E.V.卡波夫 ;

张国维 ;

G.斯帕迪尼 .

中国专利 :CN104335350B ,2015-02-04

[9]

低功率MRAM存储器阵列 [P].

M·巴塔查里亚 .

中国专利 :CN100447891C ,2003-01-01

[10]

存储器装置低功率模式 [P].

M·D·里希特 ;

T·海因 ;

W·A·斯皮尔科 ;

M·布罗克斯 ;

P·迈尔 .

中国专利 :CN113196397A ,2021-07-30

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