薄膜晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980080222.X

申请日：

2019-12-04

公开(公告)号：

CN113169232A

公开(公告)日：

2021-07-23

发明(设计)人：

松尾大辅安东靖典

申请人：

申请人地址：

日本京都府京都市右京区梅津高亩町47番地（邮递区号：6158686）

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

马爽;臧建明

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/786 申请日:20191204
2021-07-23	公开	公开

共 50 条

[1]

薄膜晶体管及其制造方法 [P].

戴超 ;

王志军 .

中国专利 :CN109616524A ,2019-04-12

[2]

薄膜晶体管及其制造方法 [P].

成军 .

中国专利 :CN102646715A ,2012-08-22

[3]

薄膜晶体管及其制造方法 [P].

林亮宇 ;

郑君丞 .

中国专利 :CN103633147A ,2014-03-12

[4]

薄膜晶体管及其制造方法 [P].

石井孝英 ;

大岛宜浩 .

中国专利 :CN102456581B ,2012-05-16

[5]

薄膜晶体管及其制造方法 [P].

张锡明 .

中国专利 :CN102184865A ,2011-09-14

[6]

薄膜晶体管及其制造方法 [P].

守口正生 ;

竹井美智子 ;

神崎庸辅 ;

井上毅 ;

深谷哲生 ;

高西雄大 ;

楠见崇嗣 ;

中谷喜纪 ;

冈本哲也 ;

中西研二 .

中国专利 :CN102939658A ,2013-02-20

[7]

薄膜晶体管及其制造方法 [P].

朴宰澈 ;

朴永洙 ;

金善日 .

中国专利 :CN101246909A ,2008-08-20

[8]

薄膜晶体管及其制造方法 [P].

张锡明 .

中国专利 :CN102184866A ,2011-09-14

[9]

薄膜晶体管及其制造方法 [P].

林威廷 ;

郑君丞 .

中国专利 :CN104518033A ,2015-04-15

[10]

薄膜晶体管及其制造方法 [P].

上田知正 ;

中野慎太郎 ;

齐藤信美 ;

原雄二郎 ;

内古闲修一 .

中国专利 :CN102484135A ,2012-05-30

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