一种碳化硅单晶生长方法及碳化硅单晶

被引：0

申请号：

CN202211312028.X

申请日：

2022-10-25

公开(公告)号：

CN115573030A

公开(公告)日：

2023-01-06

发明(设计)人：

谢雪健王兴龙徐现刚陈秀芳胡小波

申请人：

申请人地址：

250014 山东省济南市历城区山大南路27号

IPC主分类号：

C30B2300

IPC分类号：

C30B2936

代理机构：

济南圣达知识产权代理有限公司 37221

代理人：

李琳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 23/00 申请日:20221025
2023-01-06	公开	公开

共 50 条

[1]

一种碳化硅单晶生长方法及碳化硅单晶 [P].

谢雪健 ;

王兴龙 ;

徐现刚 ;

陈秀芳 ;

胡小波 .

中国专利 :CN115573030B ,2025-03-07

[2]

碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶生长方法 [P].

王海涛 ;

乔帅帅 .

中国专利 :CN120384329A ,2025-07-29

[3]

碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备设备 [P].

陈泽斌 ;

张洁 ;

廖弘基 ;

陈华荣 .

中国专利 :CN109629001A ,2019-04-16

[4]

碳化硅单晶的制造方法及碳化硅单晶 [P].

榊原聪真 ;

神田贵裕 .

日本专利 :CN118147753A ,2024-06-07

[5]

碳化硅单晶的生长方法、碳化硅单晶、坩埚和生长系统 [P].

陈小龙 ;

王国宾 ;

郭建刚 ;

李辉 ;

王文军 ;

盛达 .

中国专利 :CN116288647B ,2025-08-26

[6]

碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备设备 [P].

陈泽斌 ;

张洁 ;

廖弘基 ;

陈华荣 .

中国专利 :CN109629000A ,2019-04-16

[7]

碳化硅单晶生长装置及制造碳化硅单晶的方法 [P].

徐良 ;

蓝文安 ;

占俊杰 ;

阳明益 ;

刘建哲 ;

余雅俊 .

中国专利 :CN110331437B ,2019-10-15

[8]

碳化硅单晶生长装置 [P].

崔殿鹏 .

中国专利 :CN111748843B ,2020-10-09

[9]

碳化硅单晶生长装置 [P].

裴悠松 ;

徐洙莹 ;

李钟海 .

中国专利 :CN213538159U ,2021-06-25

[10]

碳化硅单晶生长装置 [P].

裴悠松 ;

徐洙莹 ;

李钟海 .

中国专利 :CN112126975A ,2020-12-25

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