半导体结构的制造方法及半导体结构

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202110098156.8
申请日
2021-01-25
公开(公告)号
CN112908861A
公开(公告)日
2021-06-04
发明(设计)人
曹新满
申请人
申请人地址
230011 安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号
H01L2148
IPC分类号
H01L23498 H01L218242 H01L27108
代理机构
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205
代理人
孟秀娟;臧建明
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体结构的制造方法及半导体结构 [P]. 
乔梦竹 .
中国专利 :CN114203624A ,2022-03-18
[2]
半导体结构及半导体结构的制造方法 [P]. 
王琪 .
中国专利 :CN113555504A ,2021-10-26
[3]
半导体结构的制造方法及半导体结构 [P]. 
程明霞 ;
陈洋 .
中国专利 :CN114725102A ,2022-07-08
[4]
半导体结构及半导体结构的制造方法 [P]. 
吴公一 ;
陆勇 ;
陈龙阳 .
中国专利 :CN114078852A ,2022-02-22
[5]
半导体结构及半导体结构的制造方法 [P]. 
苏星松 ;
刘洋浩 ;
郁梦康 ;
白卫平 .
中国专利 :CN114597210A ,2022-06-07
[6]
半导体结构及半导体结构的制造方法 [P]. 
何亚川 ;
黄信斌 .
中国专利 :CN114068547A ,2022-02-18
[7]
半导体结构及半导体结构的制造方法 [P]. 
吴公一 ;
陆勇 ;
陈龙阳 .
中国专利 :CN114078852B ,2024-11-01
[8]
半导体结构及半导体结构的制造方法 [P]. 
何亚川 ;
黄信斌 .
中国专利 :CN114068547B ,2025-01-21
[9]
半导体结构及半导体结构的制造方法 [P]. 
阮吕军昇 .
中国专利 :CN114121880A ,2022-03-01
[10]
半导体结构的制造方法及半导体结构 [P]. 
宛伟 ;
王盼 ;
王学生 .
中国专利 :CN112864155B ,2021-05-28