一种TiO2/WO3复合薄膜的制备方法及所得薄膜的应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110094055.X

申请日：

2011-04-15

公开(公告)号：

CN102168247B

公开(公告)日：

2011-08-31

发明(设计)人：

杜祖亮乔振聪程轲庞山

申请人：

申请人地址：

475001 河南省开封市明伦街85号

IPC主分类号：

C23C1408

IPC分类号：

C23C1434 B01J2330 B01J2106 B01J3703

代理机构：

郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104

代理人：

刘建芳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-08-31	公开	公开
2019-04-05	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 14/08 申请日:20110415 授权公告日:20121003 终止日期:20180415
2011-10-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101120312065 IPC(主分类):C23C 14/08 专利申请号:201110094055X 申请日:20110415
2012-10-03	授权	授权

共 50 条

[1]

一种TiO2/SiO2复合薄膜的制备方法 [P].

王顺利 ;

李培刚 ;

唐为华 ;

朱晖文 ;

刘洋溢 .

中国专利 :CN102162086A ,2011-08-24

[2]

一种透明导电TiO2/Ag/TiO2复合薄膜的制备方法 [P].

范翊 ;

刘星元 ;

郭晓阳 .

中国专利 :CN103060782B ,2013-04-24

[3]

一种WO<sub>3</sub>/TiO<sub>2</sub>/MC复合薄膜的制备方法 [P].

杨萃娜 ;

武军 ;

张宇华 ;

桂超 ;

孙胜飞 ;

姚路 ;

赵磊 ;

刘志锋 .

中国专利 :CN119330606A ,2025-01-21

[4]

一种Al/WO3 纳米复合薄膜及其制备方法和应用 [P].

刘阳思 ;

席晓丽 ;

沈越岗 ;

樊佑书 ;

赵林艳 ;

聂祚仁 .

中国专利 :CN112156769A ,2021-01-01

[5]

BiFeO3材料的制备方法、BiFeO3/TiO2复合薄膜及该复合薄膜的应用 [P].

冯宏剑 ;

段碧 ;

王明梓 .

中国专利 :CN103771532B ,2014-05-07

[6]

一种TiO2/石墨烯复合薄膜的制备方法 [P].

潘春旭 ;

张豫鹏 ;

许俊杰 .

中国专利 :CN102380364A ,2012-03-21

[7]

一种GO-WO3/TiO2微球薄膜电极的制备方法 [P].

李国华 ;

李媛 ;

胡海峰 .

中国专利 :CN111960683A ,2020-11-20

[8]

一种TiO2/SiO2-Ag-SiO2纳米复合薄膜的制备方法 [P].

徐进霞 ;

梅菲 .

中国专利 :CN102909008A ,2013-02-06

[9]

一种Fe3+/SiO2/TiO2纳米复合薄膜的制备方法 [P].

彭寿 ;

王芸 ;

操芳芳 ;

彭程 ;

杨扬 .

中国专利 :CN103553358B ,2014-02-05

[10]

一种多孔TiO2薄膜的制备方法 [P].

朱燕舞 ;

赖彭亮 ;

王均胜 ;

何建波 ;

吴玉程 .

中国专利 :CN104028256B ,2014-09-10

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