一种高阶温度补偿的低温漂基准源电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611196589.2

申请日：

2016-12-22

公开(公告)号：

CN106774616A

公开(公告)日：

2017-05-31

发明(设计)人：

山永启罗膺王龙峰张潭

申请人：

申请人地址：

610000 四川省成都市高新区新雅东街4号附2号3层

IPC主分类号：

G05F326

IPC分类号：

代理机构：

成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220

代理人：

郭受刚

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

一种低温漂基准源电路 [P].

山永启 ;

罗膺 ;

王龙峰 ;

张潭 .

中国专利 :CN206249134U ,2017-06-13

[2]

低温漂高精度分段温度补偿带隙基准源电路 [P].

王宇飞 ;

胡伟 ;

朱柯嘉 ;

何捷 ;

王朗圆 ;

项文灏 .

中国专利 :CN118068910A ,2024-05-24

[3]

低温漂高精度分段温度补偿带隙基准源电路 [P].

王宇飞 ;

胡伟 ;

朱柯嘉 ;

何捷 ;

王朗圆 ;

项文灏 .

中国专利 :CN118068910B ,2024-07-23

[4]

一种低温漂的高阶温度补偿MOS带隙基准电路 [P].

李世彬 ;

庞统猛 ;

蒲煕 ;

黄志茗 .

中国专利 :CN113031690B ,2021-06-25

[5]

基于高阶温度补偿的低温漂CMOS带隙基准电压源 [P].

吴建辉 ;

沈海峰 ;

樊婷 ;

顾俊辉 ;

张萌 ;

李红 ;

朱贾峰 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN101901020A ,2010-12-01

[6]

高阶温度补偿电路以及低温漂电压基准电路 [P].

陆航 ;

蔡小五 ;

韩郑生 ;

刘海南 ;

罗家俊 .

中国专利 :CN111176364A ,2020-05-19

[7]

一种带高阶温度补偿的低温漂隐埋齐纳基准电路 [P].

周震 ;

曾秋桂 ;

曾瞳辉 ;

朱哲序 ;

梁盛铭 ;

冯举林 .

中国专利 :CN118012209A ,2024-05-10

[8]

一种高阶温度补偿电压基准源 [P].

李全 ;

奚冬杰 .

中国专利 :CN106909192A ,2017-06-30

[9]

一种带高阶温度补偿的基准电压源电路 [P].

李建军 ;

黄官利 ;

李威 .

中国专利 :CN115793764B ,2024-10-15

[10]

一种电压基准及高阶温度补偿电路 [P].

王斌 ;

谢仁杰 ;

杨卫涛 ;

吴龙胜 .

中国专利 :CN116414172B ,2025-09-16

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-06	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):G05F 3/26 登记生效日:20221223 变更事项:专利权人变更前权利人:上海高通感知微电子有限公司变更后权利人:四川知微传感技术有限公司变更事项:地址变更前权利人:200000 上海市奉贤区岚丰路1150号3幢A1186室变更后权利人:610000 四川省成都市高新区(西区)天辰路88号4栋三单元4层
2017-06-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101729303201 IPC(主分类):G05F 3/26 专利申请号:2016111965892 申请日:20161222
2017-07-18	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101755323283 IPC(主分类):G05F 3/26 专利申请号:2016111965892 变更事项:申请人变更前:四川纳杰微电子技术有限公司变更后:四川知微传感技术有限公司变更事项:地址变更前:610000 四川省成都市高新区新雅东街4号附2号3层变更后:610000 四川省成都市高新区(西区)天辰路88号4栋三单元4层
2017-11-24	授权	授权
2022-11-11	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):G05F 3/26 登记生效日:20221028 变更事项:专利权人变更前权利人:四川知微传感技术有限公司变更后权利人:上海高通感知微电子有限公司变更事项:地址变更前权利人:610000 四川省成都市高新区（西区）天辰路88号4栋三单元4层变更后权利人:200000 上海市奉贤区岚丰路1150号3幢A1186室
2017-05-31	公开	公开