一种双向IGBT及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710986415.4

申请日：

2017-10-20

公开(公告)号：

CN107768435A

公开(公告)日：

2018-03-06

发明(设计)人：

张金平赵倩蔡羽恒刘竞秀李泽宏任敏张波

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

H01L29423 H01L2908 H01L2906 H01L21331

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

葛启函

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-03-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/739 申请日:20171020
2018-03-06	公开	公开
2021-12-31	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/739 申请公布日:20180306

共 50 条

[1]

一种双向IGBT及其制造方法 [P].

张金平 ;

蔡羽恒 ;

赵倩 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

任敏 ;

张波 .

中国专利 :CN107768434A ,2018-03-06

[2]

一种双向IGBT器件及其制造方法 [P].

张金平 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

任敏 ;

张波 ;

李肇基 .

中国专利 :CN105870177A ,2016-08-17

[3]

一种双向IGBT器件及其制造方法 [P].

张金平 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

任敏 ;

张波 ;

李肇基 .

中国专利 :CN105870178B ,2016-08-17

[4]

一种双向IGBT器件及其制造方法 [P].

张金平 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

任敏 ;

张波 ;

李肇基 .

中国专利 :CN105789289B ,2016-07-20

[5]

一种沟槽栅电荷存储型IGBT及其制造方法 [P].

张金平 ;

田丰境 ;

赵倩 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

任敏 ;

张波 .

中国专利 :CN107731897A ,2018-02-23

[6]

一种逆阻型IGBT及其制造方法 [P].

张金平 ;

赵倩 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

任敏 ;

张波 .

中国专利 :CN107799587B ,2018-03-13

[7]

一种沟槽栅电荷存储型IGBT及其制造方法 [P].

张金平 ;

廖航 ;

刘玮琪 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

任敏 ;

张波 .

中国专利 :CN105679816B ,2016-06-15

[8]

一种双向沟槽栅电荷存储型IGBT及其制作方法 [P].

张金平 ;

赵倩 ;

赵阳 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN108321192B ,2018-07-24

[9]

一种双向IGBT器件 [P].

张金平 ;

单亚东 ;

许高潮 ;

姚鑫 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

任敏 ;

张波 .

中国专利 :CN105981175A ,2016-09-28

[10]

一种双分裂沟槽栅电荷存储型IGBT及其制造方法 [P].

张金平 ;

廖航 ;

刘玮琪 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

任敏 ;

张波 .

中国专利 :CN105932042A ,2016-09-07

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