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一种InAlAs雪崩光电探测器结构
被引:0
申请号
:
CN202122496454.0
申请日
:
2021-10-15
公开(公告)号
:
CN216488098U
公开(公告)日
:
2022-05-10
发明(设计)人
:
杨志茂
王斌
申请人
:
申请人地址
:
100017 北京市西城区百万庄大街16号1号楼8层1814室
IPC主分类号
:
H01L31107
IPC分类号
:
H01L310216
代理机构
:
天津创智睿诚知识产权代理有限公司 12251
代理人
:
王海滨
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-05-10
授权
授权
共 50 条
[1]
一种雪崩光电探测器
[P].
杨志茂
论文数:
0
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0
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0
杨志茂
;
王斌
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王斌
.
中国专利
:CN216488097U
,2022-05-10
[2]
一种雪崩光电探测器的制备方法
[P].
杨志茂
论文数:
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杨志茂
;
王斌
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0
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0
王斌
.
中国专利
:CN113964238A
,2022-01-21
[3]
一种雪崩光电探测器的制备方法
[P].
杨志茂
论文数:
0
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0
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杨志茂
;
王斌
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王斌
.
中国专利
:CN114122191A
,2022-03-01
[4]
一种雪崩光电探测器的制备方法
[P].
杨志茂
论文数:
0
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0
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机构:
北京英孚瑞半导体科技有限公司
北京英孚瑞半导体科技有限公司
杨志茂
;
王斌
论文数:
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0
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0
机构:
北京英孚瑞半导体科技有限公司
北京英孚瑞半导体科技有限公司
王斌
.
中国专利
:CN114122191B
,2024-11-15
[5]
一种雪崩光电探测器结构
[P].
弭伟
论文数:
0
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弭伟
;
杨志茂
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杨志茂
;
王斌
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王斌
;
罗丽园
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罗丽园
.
中国专利
:CN218299812U
,2023-01-13
[6]
InAlAs雪崩光电探测器及其制备方法
[P].
韩孟序
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韩孟序
;
尹顺政
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尹顺政
;
齐利芳
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齐利芳
.
中国专利
:CN112289888A
,2021-01-29
[7]
一种基于二次外延的InAlAs雪崩光电探测器的制备方法
[P].
杨志茂
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0
杨志茂
;
王斌
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王斌
.
中国专利
:CN114093981A
,2022-02-25
[8]
一种基于二次外延的InAlAs雪崩光电探测器的制备方法
[P].
杨志茂
论文数:
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0
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0
机构:
北京英孚瑞半导体科技有限公司
北京英孚瑞半导体科技有限公司
杨志茂
;
王斌
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0
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0
机构:
北京英孚瑞半导体科技有限公司
北京英孚瑞半导体科技有限公司
王斌
.
中国专利
:CN114093981B
,2025-03-28
[9]
一种雪崩光电探测器
[P].
邢志刚
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0
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0
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0
邢志刚
.
中国专利
:CN213936199U
,2021-08-10
[10]
基于InGaAs/InAlAs/InP雪崩光电探测器的结构优化方法
[P].
王航
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王航
;
谭明
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谭明
;
吴渊渊
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吴渊渊
;
黄欣萍
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黄欣萍
;
陆书龙
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陆书龙
.
中国专利
:CN111276555A
,2020-06-12
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