一种片状二氧化钛阵列薄膜及制备方法

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专利类型
发明
申请号
CN201010570895.4
申请日
2010-12-02
公开(公告)号
CN102153289A
公开(公告)日
2011-08-17
发明(设计)人
甘小燕 邱继军 李效民 高相东 诸葛福伟
申请人
申请人地址
200050 上海市长宁区定西路1295号
IPC主分类号
C03C1723
IPC分类号
代理机构
代理人
法律状态
实质审查的生效
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共 50 条
[1]
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李美成 ;
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二氧化钛纳米棒单晶阵列薄膜的制备方法 [P]. 
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[5]
二氧化钛薄膜的制备方法 [P]. 
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[8]
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[9]
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