多重图形化的掩膜层及其形成方法

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专利类型
发明
申请号
CN201210260386.0
申请日
2012-07-20
公开(公告)号
CN103578931A
公开(公告)日
2014-02-12
发明(设计)人
洪中山 吴汉明
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
H01L21033
IPC分类号
H01L2102
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
骆苏华
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
自对准多重图形化的掩膜层及其形成方法 [P]. 
吴汉明 ;
洪中山 .
中国专利 :CN103515197A ,2014-01-15
[2]
多重图形化的掩膜层的形成方法、半导体结构 [P]. 
洪中山 ;
吴汉明 .
中国专利 :CN103578930B ,2014-02-12
[3]
改进多重图形化掩膜层的方法 [P]. 
鲍宇 .
中国专利 :CN105206512A ,2015-12-30
[4]
多重图形化掩膜的制备方法 [P]. 
鲍宇 ;
周海锋 .
中国专利 :CN106783557B ,2017-05-31
[5]
一种多重图形化掩膜层的形成方法 [P]. 
鲍宇 ;
李润领 ;
方精训 .
中国专利 :CN105304474A ,2016-02-03
[6]
图形化的掩膜层及其形成方法 [P]. 
郑二虎 .
中国专利 :CN109216164B ,2019-01-15
[7]
多重图形的形成方法 [P]. 
洪中山 .
中国专利 :CN103928303A ,2014-07-16
[8]
多重图形化方法 [P]. 
鲍宇 .
中国专利 :CN106057657A ,2016-10-26
[9]
自对准多重图形掩膜的形成方法 [P]. 
洪中山 .
中国专利 :CN105336571A ,2016-02-17
[10]
一种多重图形化掩膜层的结构及制作方法 [P]. 
鲍宇 .
中国专利 :CN105244259A ,2016-01-13