一种双多晶SOI应变SiGe回型沟道BiCMOS集成器件及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210244166.9

申请日：

2012-07-16

公开(公告)号：

CN102723336A

公开(公告)日：

2012-10-10

发明(设计)人：

宋建军胡辉勇吕懿宣荣喜张鹤鸣李妤晨舒斌郝跃

申请人：

申请人地址：

710065 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

IPC主分类号：

H01L2712

IPC分类号：

H01L2184 H01L218249

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-10-10	公开	公开
2021-07-06	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/12 申请日:20120716 授权公告日:20150812 终止日期:20200716
2013-06-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101471122146 IPC(主分类):H01L 27/12 专利申请号:2012102441669 申请日:20120716
2015-08-12	授权	授权

共 50 条

[1]

一种应变SiGe回型沟道SOI BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

宋建军 ;

胡辉勇 ;

周春宇 ;

吕懿 ;

张鹤鸣 ;

宣荣喜 ;

舒斌 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102738173A ,2012-10-17

[2]

一种应变SiGe回型沟道BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

胡辉勇 ;

宋建军 ;

宣荣喜 ;

舒斌 ;

张鹤鸣 ;

李妤晨 ;

吕懿 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102751280A ,2012-10-24

[3]

SOI BJT应变SiGe回型沟道BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

宋建军 ;

胡辉勇 ;

舒斌 ;

张鹤鸣 ;

宣荣喜 ;

李妤晨 ;

吕懿 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102723339A ,2012-10-10

[4]

一种双多晶应变SiGe SOI BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

张鹤鸣 ;

周春宇 ;

宋建军 ;

宣荣喜 ;

胡辉勇 ;

舒斌 ;

戴显英 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102723338A ,2012-10-10

[5]

一种双多晶应变SiGe平面BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

胡辉勇 ;

张鹤鸣 ;

宋建军 ;

宣荣喜 ;

舒斌 ;

周春宇 ;

王斌 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102738159A ,2012-10-17

[6]

一种基于SOI衬底的应变SiGe BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

宋建军 ;

张鹤鸣 ;

吕懿 ;

李妤晨 ;

胡辉勇 ;

宣荣喜 ;

舒斌 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102751278B ,2012-10-24

[7]

一种SiGe基垂直沟道应变BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

宋建军 ;

张鹤鸣 ;

王海栋 ;

周春宇 ;

胡辉勇 ;

宣荣喜 ;

戴显英 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102738156B ,2012-10-17

[8]

一种应变SiGe垂直回型沟道BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

宋建军 ;

胡辉勇 ;

舒斌 ;

张鹤鸣 ;

宣荣喜 ;

李妤晨 ;

王斌 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102820297A ,2012-12-12

[9]

一种三多晶应变SiGe BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

胡辉勇 ;

张鹤鸣 ;

宋建军 ;

宣荣喜 ;

周春宇 ;

舒斌 ;

吕懿 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102820306B ,2012-12-12

[10]

一种SOI应变SiGe BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

胡辉勇 ;

宋建军 ;

李妤晨 ;

张鹤鸣 ;

宣荣喜 ;

舒斌 ;

戴显英 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102723337A ,2012-10-10

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