新型IGBT结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610345965.3

申请日：

2016-05-23

公开(公告)号：

CN107425060A

公开(公告)日：

2017-12-01

发明(设计)人：

刘国友朱利恒覃荣震罗海辉黄建伟戴小平

申请人：

申请人地址：

412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

H01L21331

代理机构：

北京聿宏知识产权代理有限公司 11372

代理人：

张文娟;朱绘

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-22	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 29/739 申请公布日:20171201
2017-12-01	公开	公开
2017-12-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/739 申请日:20160523

共 50 条

[1]

新型U型槽IGBT及其制作方法 [P].

刘国友 ;

朱利恒 ;

覃荣震 ;

罗海辉 ;

黄建伟 ;

戴小平 .

中国专利 :CN107342317A ,2017-11-10

[2]

倒台面栅IGBT结构及其制作方法 [P].

刘国友 ;

朱利恒 ;

覃荣震 ;

罗海辉 ;

黄建伟 ;

戴小平 .

中国专利 :CN107507860A ,2017-12-22

[3]

IGBT器件结构及其制作方法 [P].

曹功勋 .

中国专利 :CN118448263A ,2024-08-06

[4]

IGBT及其制作方法 [P].

喻巧群 ;

朱阳军 ;

卢烁今 ;

胡爱斌 ;

田晓丽 .

中国专利 :CN103855201A ,2014-06-11

[5]

IGBT器件的制作方法 [P].

潘嘉 ;

杨继业 ;

冯超 .

中国专利 :CN111883423A ,2020-11-03

[6]

SONOS结构及其制作方法 [P].

苟鸿雁 ;

吴小利 ;

唐树澍 .

中国专利 :CN102280377A ,2011-12-14

[7]

沟槽IGBT和其制作方法 [P].

高东岳 ;

薛维佳 ;

蔡文伟 .

中国专利 :CN111933527A ,2020-11-13

[8]

IGBT器件及其制作方法 [P].

叶俊雅 ;

洪智强 .

中国专利 :CN119815849A ,2025-04-11

[9]

IGBT器件及其制作方法 [P].

韩健 ;

顾悦吉 ;

黄示 ;

陈琛 .

中国专利 :CN105489644A ,2016-04-13

[10]

一种IGBT结构及其制作方法 [P].

朱袁正 ;

周锦程 ;

杨卓 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN110061047B ,2024-03-12

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